ΜΕΛΕΤΗ ΤΗΣ ΔΟΜΗΣ ΚΑΙ ΤΩΝ ΔΙΕΠΙΦΑΝΕΙΩΝ ΣΕ ΛΕΠΤΑ ΥΜΕΝΙΑ ΠΟΛΥΚΡΥΣΤΑΛΛΙΚΟΥ ΠΥΡΙΤΙΟΥ

Abstract

THE STRUCTURAL CHARACTERISTICS OF THE FOLLOWING GROUPS OF POLYSILICON FILMS WERE STUDIED: 1) FILMS GROWN BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION 2) FILMS GROWN BY THERMAL CRYSTALLISATION OF AMORPHOUS SILICON 3) FILMS GROWN BY LASER CRYSTALLISATION OF AMORPHOUS SILICON. (1) TEMPERATURE OF 630 C DEGREES 1A) HIGH PRESSURE RANGE (P>100 MTORR): CRYSTALLITES WITH TUFTY APPEARANCE, SMALL WIDTH AND ANGLEWITH THE VERTICAL TO THE SURFACE. HIGH IN - GRAIN DEFECT DENSITY, MAINLY {111} MICROTWINS. 1B) INTERMEDIATE PRESSURE RANGE (10 - 100 MTORR), LARGER CRYSTALLITE DIAMETER, IMPROVEMENT OF THE IN - GRAIN STRUCTURE. 1C) LOW PRESSURE RANGE (P<10 MTORR) TWO DISCRETE AREAS, MEAN SURFACE DIAMETER ~0.5 ΜM, ROUGH SURFACE. THE DEPENDENCE ON GROWTH CONDITIONS OF THE FOLLOWING PARAMETERS WAS STUDIED: ACTIVATION ENERGY, GROWTH RATE, CRYSTALLITE RADIUS OF CURVATURE AND MEAN DIAMETER. (2) COMBINATION OF CONVENTIONAL ANEALLING WITH RAPID THERMAL ANEALLING (R.T.A) : LARGE CRYSTALLITES, FREE OF IN - GRAIN DEFECTS. (3) COMBINATION OF CONVENTIONAL ANEALLING WITH LASER ANEALLING LARGE, DEFECT FREE CRYSTALLITES.

ΜΕΛΕΤΗΘΗΚΑΝ ΤΑ ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΑ ΤΗΣ ΔΟΜΗΣ ΥΜΕΝΩΝ ΠΟΛΥΚΡΥΣΤΑΛΛΙΚΟΥ ΠΥΡΙΤΙΟΥ, ΑΝΕΠΤΥΓΜΕΝΩΝ ΜΕ ΤΙΣ ΑΚΟΛΟΥΘΕΣ ΜΕΘΟΔΟΥΣ. 1) ΑΠΕΥΘΕΙΑΣ ΑΠΟΘΕΣΗ ΑΠΟ ΤΗΝ ΑΕΡΙΑ ΦΑΣΗ 2) ΘΕΡΜΙΚΗ ΚΡΥΣΤΑΛΛΩΣΗ 3) ΚΡΥΣΤΑΛΛΩΣΗ ΜΕ ΔΕΣΜΗ LASER. (1) ΘΕΡΜΟΚΡΑΣΙΑ ΑΝΑΠΤΥΞΗΣ630 ΒΑΘΜΟΙ C. (1Α) ΠΕΡΙΟΧΗ ΥΨΗΛΩΝ ΠΙΕΣΕΩΝ (Ρ>100 MTORR): ΚΡΥΣΤΑΛΛΟΙ ΘΥΣΣΑΝΩΤΟΙ, ΜΙΚΡΟ ΕΥΡΟΣ ΚΑΙ ΓΩΝΙΑ ΜΕ ΤΗΝ ΚΑΘΕΤΟ ΣΤΗΝ ΕΠΙΦΑΝΕΙΑ. ΥΨΗΛΗ ΠΥΚΝΟΤΗΤΑ ΕΠΙΠΕΔΩΝ ΑΤΕΛΕΙΩΝ, ΚΥΡΙΑ {111} ΔΙΔΥΜΙΩΝ. (1Β) ΠΕΡΙΟΧΗ ΕΝΔΙΑΜΕΣΩΝ ΠΙΕΣΕΩΝ (10 - 100 MTORR), ΑΥΞΗΣΗ ΔΙΑΜΕΤΡΟΥ ΚΡΥΣΤΑΛΛΙΤΩΝ, ΜΕΙΩΣΗ ΠΥΚΝΟΤΗΤΑΣ ΑΤΕΛΕΙΩΝ. (1Γ) ΠΕΡΙΟΧΗ ΧΑΜΗΛΩΝ ΠΙΕΣΕΩΝ (<10 MTORR), ΥΠΑΡΞΗ ΔΥΟ ΠΕΡΙΟΧΩΝ, ΚΡΥΣΤΑΛΛΙΤΕΣ ΚΟΝΤΑ ΣΤΗΝ ΕΠΙΦΑΝΕΙΑ ΔΙΑΜΕΤΡΟΣ 0,5 ΜM, ΕΠΙΦΑΝΕΙΑ ΤΡΑΧΕΙΑ. ΕΡΜΗΝΕΥΘΗΚΕ Η ΕΞΑΡΤΗΣΗ ΕΝΕΡΓΕΙΑΣ ΕΝΕΡΓΟΠΟΙΗΣΗΣ, ΡΥΘΜΟΥ ΑΝΑΠΤΥΞΗΣ, ΑΚΤΙΝΑΣ ΚΑΜΠΥΛΟΤΗΤΑΣ ΚΑΙ ΔΙΑΜΕΤΡΟΥ ΚΡΥΣΤΑΛΛΙΤΩΝ ΣΕ ΣΥΝΑΡΤΗΣΗ ΜΕ ΤΗΝ ΠΙΕΣΗ ΚΑΙ ΤΗΝ ΘΕΡΜΟΚΡΑΣΙΑ. (2) ΣΥΝΔΥΑΣΜΟΣ ΣΥΜΒΑΤΙΚΗΣ ΑΝΟΠΤΗΣΗΣ ΜΕ ΣΤΑΔΙΟ ΤΑΧΕΙΑΣ ΘΕΡΜΙΚΗΣ ΑΝΑΚΡΥΣΤΑΛΛΩΣΗΣ. ΑΠΟΤΕΛΕΣΜΑ: ΚΡΥΣΤΑΛΛΙΤΕΣΜΕΓΑΛΟΥ ΜΕΓΕΘΟΥΣ, ΑΠΑΛΛΑΓΜΕΝΟΙ ΑΠΟ ΕΠΙΠΕΔΕΣ ΑΤΕΛΕΙΕΣ ΔΟΜΗΣ. (3) ΣΥΝΔΥΑΣΜΟΣ ΣΥΜΒΑΤΙΚΗΣ ΑΝΟΠΤΗΣΗΣ ΜΕ ΣΤΑΔΙΟ ΚΑΤΕΡΓΑΣΙΑΣ ΜΕ LASER. ΑΠΟΤΕΛΕΣΜΑ: ΚΡΥΣΤΑΛΛΙΤΕΣ ΜΕΓΑΛΟΥ ΜΕΓΕΘΟΥΣ ΧΩΡΙΣ ΑΤΕΛΕΙΕΣ.