ΜΕΤΡΗΣΗ ΚΑΙ ΜΟΝΤΕΛΟΠΟΙΗΣΗ ΤΟΥ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΟΥ ΘΟΡΥΒΟΥ ΣΕ ΗΜΙΑΓΩΓΙΚΕΣ ΔΙΑΤΑΞΕΙΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ CMOS ΚΑΙ BICMOS.

Περίληψη

Η ΠΑΡΟΥΣΑ ΔΙΔΑΚΤΟΡΙΚΗ ΔΙΑΤΡΙΒΗ ΑΣΧΟΛΕΙΤΑΙ ΜΕ ΤΗΝ ΜΕΤΡΗΣΗ ΚΑΙ ΤΗΝ ΜΟΝΤΕΛΟΠΟΙΗΣΗ ΤΟΥ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΟΥ ΘΟΡΥΒΟΥ ΣΕ ΗΜΙΑΓΩΓΙΚΕΣ ΔΙΑΤΑΞΕΙΣ CMOS ΚΑΙ BICMOS. ΕΞΕΤΑΖΟΝΤΑΙ ΤΑ ΕΙΔΗ ΘΟΡΥΒΟΥ ΚΑΙ ΔΙΝΟΝΤΑΙ ΟΙ ΚΥΡΙΟΤΕΡΕΣ ΜΕΘΟΔΟΙ ΜΕΤΡΗΣΗΣ. ΠΡΟΣΔΙΟΡΙΖΕΤΑΙ ΠΕΙΡΑΜΑΤΙΚΑ Ο 1/F ΘΟΡΥΒΟΣ ΣΕ ΥΠΟΜΙΚΡΟΝΙΚΑ MOSFETS ΝΙΤΡΙΔΩΜΕΝΗΣ ΠΥΛΗΣ ΚΑΙ ΕΞΕΤΑΖΕΤΑΙ ΣΕ ΣΧΕΣΗ ΜΕ ΤΑ ΠΡΟΤΑΘΕΝΤΑ ΘΕΩΡΗΤΙΚΑ ΜΟΝΤΕΛΑ. ΔΙΝΕΤΑΙ ΕΝΑ ΝΕΟ ΜΟΝΤΕΛΟ ΓΙΑ ΤΟ ΘΕΡΜΙΚΟ ΘΟΡΥΒΟ ΕΥΡΕΙΑΣ ΖΩΝΗΣ ΣΕ ΥΠΟΜΙΚΡΟΝΙΚΑ MOSFETS ΠΟΥ ΒΕΛΤΙΩΝΕΙ ΤΗΝ ΠΡΟΒΛΕΨΗ ΤΟΥ ΑΝΤΙΣΤΟΙΧΟΥ ΜΟΝΤΕΛΟΥ ΤΟΥ SPICE ΑΠΟ 3 ΜΕΧΡΙ 10 ΦΟΡΕΣ, ΣΥΜΦΩΝΑ ΜΕ ΠΕΙΡΑΜΑΤΙΚΑ ΔΕΔΟΜΕΝΑ. ΔΙΝΕΤΑΙ ΕΠΙΣΗΣ Η ΕΠΕΚΤΑΣΗ ΤΟΥ ΥΠΑΡΧΟΝΤΟΣ ΘΕΩΡΗΤΙΚΟΥ ΜΟΝΤΕΛΟΥ ΓΙΑ ΤΟ ΡΕΥΜΑ ΘΟΡΥΒΟΥ ΠΥΛΗΣ ΣΤΑ ΥΠΟΜΙΚΡΟΝΙΚΑ MOS ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡΣ. ΤΕΛΟΣ, ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΖΟΝΤΑΙ ΑΝΑΛΟΓΙΚΑ ΚΑΙ ΨΗΦΙΑΚΑ ΚΥΤΤΑΡΑ ΛΟΓΙΣΜΙΚΟΥ ΓΙΑ ΤΗΝ ΚΑΤΑΣΚΕΥΥΗ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ ΤΥΠΟΥ ASIC.

Περίληψη σε άλλη γλώσσα

THIS DISSERTATION DEALS WITH THE EXPERIMENTAL EXTRACTION AND THE ANALYTICAL MODELLING OF THE ELECTRONIC NOISE IN MOS TRANSISTORS. FIRST OF ALL THE VARIOUS NOISE FORMS AND THE MOST PREVAILING THEORIES SUMMARIZED ALONG WITH THE MOST IMPORTANT MEASUREMENT METHODOLOGIES. THE EXPERIMENTAL DATA OF 1 /F NOISE IN NITRIDED GATE SUBMICRON MOSFETS FOLLOW, AND THEIR COMPARISON WITH THE SUGGESTED THEORIES IS PRESENTED. A NEW MODEL FOR THE WIDE BAND THERMAL NOISE IN THE DRAIN CURRENT OF SUBMICRON MOSFETS IS DERIVED. THE NEW ANALYTICAL EXPRESSION FINDS GOOD FIT WITH EXPERIMENTAL DATA IN CONTRAST TO THE CORRESPONDING SPICE MODEL. BASED ON THAT MODEL, AN EXPANSION OF THE THEORY FOR THE GATE CURRENT THERMAL NOISE IS PRESENTED. FINALLY, A STANDARD CELLS LIBRARY FOR ASIC DESIGN IS DEVELOPED FOR THE 1.5 Μ.M PREMA BICMOS TECHNOLOGY.
Πρέπει να είστε εγγεγραμένος χρήστης για έχετε πρόσβαση σε όλες τις υπηρεσίες του ΕΑΔΔ  Είσοδος /Εγγραφή

Όλα τα τεκμήρια στο ΕΑΔΔ προστατεύονται από πνευματικά δικαιώματα.

DOI
10.12681/eadd/8560
Διεύθυνση Handle
http://hdl.handle.net/10442/hedi/8560
Εναλλακτικός τίτλος
MEASUREMENT AND MODELLING OF ELECTRONIC NOISE FOR CMOS AND BICMOS VLSI CIRCUITS.
Συγγραφέας
ΤΡΙΑΝΤΗΣ, ΔΗΜΗΤΡΗΣ
Ημερομηνία
1997
Ίδρυμα
Πανεπιστήμιο Πατρών. Σχολή Πολυτεχνική. Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Τεχνολογίας Υπολογιστών
Εξεταστική επιτροπή
ΜΠΙΡΜΠΑΣ ΑΛΕΞΙΟΣ
ΠΑΠΑΔΟΠΟΥΛΟΣ ΓΕΩΡΓΙΟΣ
ΓΚΟΥΤΗΣ ΚΩΣΤΑΣ
ΓΕΩΡΓΟΠΟΥΛΟΣ ΧΡΗΣΤΟΣ
ΜΑΚΙΟΣ ΒΑΣΙΛΕΙΟΣ
ΑΒΑΡΙΤΣΙΩΤΗΣ ΙΩΑΝΝΗΣ
ΔΕΛΗΓΙΑΝΝΗΣ ΘΕΟΔΩΡΟΣ
Επιστημονικό πεδίο
Μηχανική & Τεχνολογία
Επιστήμες Ηλεκτρολόγου Μηχανικού, Ηλεκτρονικού Μηχανικού & Μηχανικού Η/Υ
Λέξεις-κλειδιά
1/F ΘΟΡΥΒΟΣ; ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΟΣ ΘΟΡΥΒΟΣ; ΘΕΡΜΙΚΟΣ ΘΟΡΥΒΟΣ; ΜΕΘΟΔΟΙ ΜΕΤΡΗΣΗΣ; Μοντελοποίηση; ΥΠΟΜΙΚΡΟΝΙΚΑ ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡΣ; Ψηφιακή βιβλιοθήκη
Χώρα
Ελλάδα
Γλώσσα
Ελληνικά