ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΑΚΕΣ ΚΑΤΑΣΤΑΣΕΙΣ ΚΑΙ ΕΥΚΙΝΗΣΙΑ ΕΠΙΛΕΚΤΙΚΑ ΕΜΠΛΟΥΤΙΣΜΕΝΩΝ ΕΤΕΡΟΔΟΜΩΝ ALXGA1-XAS/GAAS/ALXGA1-XAS

Περίληψη

ΧΡΗΣΙΜΟΠΟΙΟΥΜΕ ΑΥΤΟΣΥΝΕΠΕΙΣ ΑΡΙΘΜΗΤΙΚΟΥΣ ΥΠΟΛΟΓΙΣΜΟΥΣ ΓΙΑ ΝΑ ΜΕΛΕΤΗΣΟΥΜΕ ΤΗΝ ΕΠΙΦΑΝΕΙΑΚΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΑΚΗ ΣΥΓΚΕΝΤΡΩΣΗ ΚΑΙ ΤΗΝ ΕΥΚΙΝΗΣΙΑ ΕΠΙΛΕΚΤΙΚΑ ΕΜΠΛΟΥΤΙΣΜΕΝΩΝΔΙΠΛΩΝ ΕΤΕΡΟΕΠΑΦΩΝ ALXGA1-XAS/GAAS/ALXGA1-XAS ΩΣ ΣΥΝΑΡΤΗΣΕΙΣ ΤΗΣ ΠΥΚΝΟΤΗΤΑΣ ΕΜΠΛΟΥΤΙΣΜΟΥ, ΤΟΥ ΠΑΧΟΥΣ ΤΩΝ ΑΝΕΥ ΠΡΟΣΜΙΞΕΩΝ ΠΕΡΙΟΧΩΝ, ΤΟΥ ΠΛΑΤΟΥΣ ΤΟΥ ΠΗΓΑΔΙΟΥΚΑΙ ΤΟΥ ΜΟΡΙΑΚΟΥ ΚΛΑΣΜΑΤΟΣ ΤΟΥ AL, ΧΩΡΙΣ ΤΗ ΧΡΗΣΗ ΠΕΡΙΟΡΙΣΤΙΚΩΝ, ΕΚ ΤΩΝ ΠΡΟΤΕΡΩΝ ΥΠΟΘΕΣΕΩΝ. ΓΙΑ ΠΡΩΤΗ ΦΟΡΑ ΛΑΜΒΑΝΟΝΤΑΙ ΥΠ'ΟΨΙΝ ΚΑΙ ΤΑ ΔΥΟ ΕΙΔΗ ΔΟΤΩΝ ΠΟΥ ΣΥΝΥΠΑΡΧΟΥΝ ΣΤΟ ΕΜΠΛΟΥΤΙΣΜΕΝΟ ΜΕ SI ALXGA1-XAS (ΒΑΘΕΙΣ ΚΑΙ ΡΥΧΟΙ ΔΟΤΕΣ). ΜΕΛΕΤΑΜΕ ΟΛΟΥΣ ΤΟΥΣ ΣΗΜΑΝΤΙΚΟΥΣ ΜΗΧΑΝΙΣΜΟΥΣ ΣΚΕΔΑΣΗΣ. ΤΟ ΜΟΝΤΕΛΟ ΜΑΣ, ΠΟΥ ΕΞΑΡΤΑΤΑΙ ΑΠΟΚΛΕΙΣΤΙΚΑ ΑΠΟ ΤΗ ΓΝΩΣΗ ΤΩΝ ΔΟΜΙΚΩΝ ΠΑΡΑΜΕΤΡΩΝ ΚΑΙ ΤΩΝ ΠΑΡΑΜΕΤΡΩΝ ΤΩΝ ΥΛΙΚΩΝ,ΜΑΣ ΕΠΙΤΡΕΠΕΙ ΝΑ ΛΑΜΒΑΝΟΥΜΕ ΤΗ ΜΕΓΙΣΤΗ ΑΓΩΓΙΜΟΤΗΤΑ ΚΑΘΕ ΕΤΕΡΟΔΟΜΗΣ. ΕΠΙΣΗΣ ΜΕΛΕΤΑΤΑΙ Η ΜΕΤΑΒΑΣΗ ΑΠΟ ΕΝΑ "ΤΕΛΕΙΟ ΤΕΤΡΑΓΩΝΙΚΟ ΠΗΓΑΔΙ" ΣΕ ΕΝΑ "ΣΥΣΤΗΜΑ ΔΥΟ ΞΕΧΩΡΙΣΤΩΝ ΕΤΕΡΟΕΠΑΦΩΝ". ΠΑΡΟΥΣΙΑΖΟΥΜΕ ΑΚΟΜΗ ΜΙΑ ΠΟΣΟΤΙΚΗ ΑΝΑΛΥΣΗ ΤΗΣ ΘΕΡΜΟΚΡΑΣΙΑΚΗΣ ΕΞΑΡΤΗΣΗΣ ΤΗΣ ΕΠΙΦΑΝΕΙΑΚΗΣ ΣΥΓΚΕΝΤΡΩΣΕΩΣ ΤΟΥ ΨΕΥΔΟΔΙ ...
περισσότερα

Περίληψη σε άλλη γλώσσα

WE USE SELF-CONSISTENT NUMERICAL CALCULATIONS TO STUDY THE SHEET ELECTRON CONCENTRATION AND THE MOBILITY AS FUNCTIONS OF THE DOPING CONCENTRATIONS, THE SPACER THICKNESS, THE WELL WIDTH AND THE AL MOLE FRACTION OF SELECTIVELY DOPED ALXGA1-XAS/GAAS/ALXGA1-XAS DOUBLE HETEROJUNCTIONS, USING NO RESTRICTIVE, A PRIORI, ASSUMPTIONS. FOR THE FIRST TIME WE TAKE INTO ACCOUNT TWO KINDS OF DONOR (SHALLOW AND DEEP) THAT COEXIST IN THE SI-DOPED ALXGA1-XAS. WE STUDY ALL THE SIGNIFICANT SCATTERING MECHANISMS. THE MODEL, BASED EXCLUSIVELY UPON THE KNOWLEDGE OF THE MATERIAL AND STRUCTURAL PARAMETERS INVOLVED, ALLOWS US TO OBTAIN THE MAXIMUM CONDUCTIVITY FOR ANY SPECIFIC STRUCTURE. THE TRANSITION FROM A "PERFECT" SQUARE WELL TO A SYSTEM OF "TWO SEPARATED HETEROJUNCTIONS" IS SYSTEMATICALLYSTUDIED. WE ALSO PRESENT A QUANTITATIVE ANALYSIS OF THE TEMPERATURE DEPENDENCE OF THE QUASI- TWO-DIMENSIONAL ELECTRON CONCENTRATION TAKING INTO ACCOUNT THAT IN THE SI-DOPED ALXGA1-XAS SHALLOW AND DEEP DONOR ...
περισσότερα
Πρέπει να είστε εγγεγραμένος χρήστης για έχετε πρόσβαση σε όλες τις υπηρεσίες του ΕΑΔΔ  Είσοδος /Εγγραφή

Όλα τα τεκμήρια στο ΕΑΔΔ προστατεύονται από πνευματικά δικαιώματα.

DOI
10.12681/eadd/7439
Διεύθυνση Handle
http://hdl.handle.net/10442/hedi/7439
Εναλλακτικός τίτλος
ELECTRONIC STATES AND MOBILITY OF SELECTIVELY DOPED ALXGA1-XAS/GAAS/ ALXGA1-XAS
Συγγραφέας
ΣΙΜΣΕΡΙΔΗΣ, ΚΩΝΣΤΑΝΤΙΝΟΣ
Ημερομηνία
1996
Ίδρυμα
Εθνικό και Καποδιστριακό Πανεπιστήμιο Αθηνών (ΕΚΠΑ). Σχολή Θετικών Επιστημών. Τμήμα Φυσικής
Εξεταστική επιτροπή
ΤΡΙΜΠΕΡΗΣ ΓΕΩΡΓΙΟΣ
ΣΤΕΦΑΝΟΥ ΝΙΚΟΛΑΟΣ
ΠΑΠΑΙΩΑΝΝΟΥ ΓΕΩΡΓΙΟΣ
ΒΑΡΩΤΣΟΣ ΠΑΝΑΓΙΩΤΗΣ
ΠΑΠΑΔΟΠΟΥΛΟΣ ΓΕΩΡΓΙΟΣ
ΚΑΡΟΥΜΠΑΛΟΣ ΚΩΝΣΤΑΝΤΙΝΟΣ
ΛΟΝΤΟΣ ΧΑΡΑΛΑΜΠΟΣ
Επιστημονικό πεδίο
Φυσικές Επιστήμες
Φυσική
Λέξεις-κλειδιά
ΕΠΙΛΕΚΤΙΚΑ ΕΜΠΛΟΥΤΙΣΜΕΝΕΣ ΔΙΠΛΕΣ ΕΤΕΡΟΕΠΑΦΕΣ; ΕΠΙΦΑΝΕΙΑΚΗ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΑΚΗ (Η ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ) ΣΥΓΚΕΝΤΡΩΣΗ; ΕΤΕΡΟΔΟΜΕΣ; ΕΥΚΙΝΗΣΙΑ, ΑΓΩΓΙΜΟΤΗΤΑ; ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΑΚΕΣ (Η ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΕΣ) ΚΑΤΑΣΤΑΣΕΙΣ; Κβαντικό πηγάδι (ή φρέαρ); ΜΕΤΑΦΟΡΑ (ΙΟΝΙΣΜΕΝΟΙ ΔΟΤΕΣ, ΤΡΑΧΥΤΗΤΑ ΕΝΔΟΕΠΙΦΑΝΕΙΩΝ, ΚΛΠ)
Χώρα
Ελλάδα
Γλώσσα
Ελληνικά