Ανάπτυξη τραχύτητας κατά την εγχάραξη πυριτίου με πλάσμα για μικρορευστομηχανικές διατάξεις

Περίληψη

Σκοπός της εργασίας είναι ο χαρακτηρισμός και η εξήγηση του σχηματισμού τραχύτητας στο πυρίτιο κατά την διάρκεια της εγχάραξης με πλάσμα, ο σχεδιασμός, κατασκευή και σφράγιση μικρορευστομηχανικών διατάξεων σε πυρίτιο και η εφαρμογή των διατάξεων αυτών για χρωματογραφία συγγένειας για διαχωρισμό φωσφοπεπτιδίων. Στο πρώτο μέρος της διατριβής έγινε εκτενής μελέτη της ανάπτυξης-δημιουργίας της τραχύτητας σε επιφάνεια πυριτίου που σχηματίζεται κατά την εγχάραξη με πλάσμα ώστε να γνωρίζουμε το μέγιστο μέγεθος που μπορεί αυτή να αποκτήσει κατά την διεργασία μορφοποίησης των μικρορευστομηχανικών διατάξεων και το οποίο μπορεί να έχει επιπτώσεις στην ροή και τις ιδιότητες των διατάξεων που κατασκευάζονται. Το αέριο που χρησιμοποιήθηκε για εγχάραξη είναι το SF6 σε αντιδραστήρα πλάσματος τύπου ICP. Η εγχάραξη επιφανειών πυριτίου οδηγεί σε μορφολογία με διπλή κλίμακα, που αποτελείται από υπόβαθρο με βαθουλώματα και από προεξέχοντα πολύ υψηλότερα εξογκώματα. Για τον χαρακτηρισμό των επιφανειών διπλ ...
περισσότερα

Περίληψη σε άλλη γλώσσα

The purpose of this thesis is the characterization and explanation of roughness formation on silicon during plasma etching, the design, construction and sealing of silicon microfluidics and application of this microfluidics in affinity chromatography of phosphopeptides. In the first part of this thesis, an extensive study of the roughness formation on silicon surface during plasma etching is done, in order to know the maximum roughness expected during the fabrication processes of microfluidic devices, and its possible impact on their flow and other properties. SF6 gas is used for silicon etching in an ICP plasma reactor. Silicon surface etching leads to a dual scale morphology, which consists of underlying nano-roughness and superimposed much higher nano-mounds. For the dual-scale surface characterization a methodology is proposed, which is based on five roughness metrics: a) the root mean square of the surface heights rms, b) the correlation length ξ, c) the roughness component α, d) ...
περισσότερα

Όλα τα τεκμήρια στο ΕΑΔΔ προστατεύονται από πνευματικά δικαιώματα.

DOI
10.12681/eadd/25565
Διεύθυνση Handle
http://hdl.handle.net/10442/hedi/25565
ND
25565
Εναλλακτικός τίτλος
Roughness formation during silicon plasma etching of microfluidic devices
Συγγραφέας
Μπουλούσης, Γεώργιος (Πατρώνυμο: Αθανάσιος)
Ημερομηνία
2009
Ίδρυμα
Εθνικό Μετσόβιο Πολυτεχνείο (ΕΜΠ). Σχολή Χημικών Μηχανικών. Τομέας ΙΙΙ : Επιστήμης και Τεχνικής των Υλικών
Εξεταστική επιτροπή
Καλαντζοπούλου Φανή
Μπουντουβής Ανδρέας
Τσουκαλάς Δημήτριος
Τσερεπή Αγγελική
Γογγολίδης Ευάγγελος
Χαριτίδης Κωνσταντίνος
Μαθιουλάκης Δημήτριος
Επιστημονικό πεδίο
Επιστήμες Μηχανικού και ΤεχνολογίαΕπιστήμη Χημικού Μηχανικού
Λέξεις-κλειδιά
Τραχύτητα; Εγχάραξη με πλάσμα; Μικρορευστομηχανικές διατάξεις; Πυρίτιο; Χρωματογραφία συγγένειας ΤiΟ2
Χώρα
Ελλάδα
Γλώσσα
Ελληνικά
Άλλα στοιχεία
xiii, 194 σ., εικ.
Στατιστικά χρήσης
ΠΡΟΒΟΛΕΣ
Αφορά στις μοναδικές επισκέψεις της διδακτορικής διατριβής για την χρονική περίοδο 07/2018 - 07/2023.
Πηγή: Google Analytics.
ΞΕΦΥΛΛΙΣΜΑΤΑ
Αφορά στο άνοιγμα του online αναγνώστη για την χρονική περίοδο 07/2018 - 07/2023.
Πηγή: Google Analytics.
ΜΕΤΑΦΟΡΤΩΣΕΙΣ
Αφορά στο σύνολο των μεταφορτώσων του αρχείου της διδακτορικής διατριβής.
Πηγή: Εθνικό Αρχείο Διδακτορικών Διατριβών.
ΧΡΗΣΤΕΣ
Αφορά στους συνδεδεμένους στο σύστημα χρήστες οι οποίοι έχουν αλληλεπιδράσει με τη διδακτορική διατριβή. Ως επί το πλείστον, αφορά τις μεταφορτώσεις.
Πηγή: Εθνικό Αρχείο Διδακτορικών Διατριβών.
Σχετικές εγγραφές (με βάση τις επισκέψεις των χρηστών)