Νανοηλεκτρονικές διατάξεις πυριτίου

Περίληψη

Οι στόχοι της παρούσας διδακτορικής διατριβής ήσαν: α) Η ανίχνευση της δυνατότητας κατασκευής υβριδικών διατάξεων μνήμης, τύπου Flash, με τη χρησιμοποίηση τεχνολογίας Si και μοριακών υλικών. β) Η κατασκευή σε χαμηλή θερμοκρασία (? 400 0C) και η επίδειξη λειτουργίας μίας τέτοιας μνήμης σε τρισδιάστατη αρχιτεκτονική. Πράγματι, κατασκευάσθηκαν πρωτότυπες, υβριδικές διατάξεις μνήμης από Si και οργανικά υλικά, που είχαν νανοσωματίδια Au (Au nps) σαν κόμβους αποθήκευσης του φορτίου. Τα νανοσωματίδια εναποτέθηκαν πάνω σε μία συμβατική διάταξη Si, παρόμοια με του τρανζίστορ MOSFET, σε θερμοκρασία δωματίου με δύο διαφορετικές μεθόδους: α) με χημικές διαδικασίες και ενεργοποίηση της επιφάνειας του υποκειμένου στρώματος SiO2 και β) με την τεχνική Langmuir-Blodgett (LB). Το οξείδιο σήραγγος των διατάξεων είναι 5 nm ή 3 nm θερμικό διοξείδιο του πυριτίου και το οξείδιο ελέγχου είναι ένας οργανικός μονωτής (C19H39COO)2Cd (πάχους 54 nm ή 108 nm) εναποτεθημένος με την LB τεχνική σε θερμοκρασία δωματίου ...
περισσότερα

Περίληψη σε άλλη γλώσσα

The aims of this work were: a) To demonstrate the feasibility of flash type memory devices fabricated by a hybrid silicon and molecular technology. b) To demonstrate the feasibility of such a device in a 3-D architecture fabricated at low temperature (? 400 0C). Prototypes hybrid silicon-organic memory devices using gold nanoparticles (Au nps) as charge storage elements were fabricated. The nanoparticles were deposited over a conventional (MOS like) silicon device at room temperature by two different methods: a) by chemical processes and surface functionalization of the underlying silicon dioxide layer and b) by means of the Langmuir-Blodgett (LB) technique. The tunneling oxide of the devices is a 5 nm or a 3 nm thermal SiO2 layer and the control oxide is an organic insulator (C19H39COO)2Cd (54 nm or 108 nm thick) deposited by the LB technique at room temperature. The new materials (Au nps and (C19H39COO)2Cd) were incorporated into capacitor MIS structures and characterized by the meas ...
περισσότερα
Πρέπει να είστε εγγεγραμένος χρήστης για έχετε πρόσβαση σε όλες τις υπηρεσίες του ΕΑΔΔ  Είσοδος /Εγγραφή

Όλα τα τεκμήρια στο ΕΑΔΔ προστατεύονται από πνευματικά δικαιώματα.

DOI
10.12681/eadd/15370
Διεύθυνση Handle
http://hdl.handle.net/10442/hedi/15370
Εναλλακτικός τίτλος
Silicon nanoelectronic devices
Συγγραφέας
Κολιοπούλου, Σταυρούλα Βασίλειος
Ημερομηνία
2005
Ίδρυμα
Αριστοτέλειο Πανεπιστήμιο Θεσσαλονίκης (ΑΠΘ). Σχολή Θετικών Επιστημών. Τμήμα Φυσικής. Τομέας Φυσικής Στερεάς Κατάστασης
Εξεταστική επιτροπή
Δημητριάδης Χαράλαμπος
Αναγνωστόπουλος Αντώνιος
Καρακώστας Θεόδωρος
Βαλασιάδης Οδυσσέας
Κυριάκος Δημήτριος
Παπαδημητρίου Λεωνίδας
Τσουκαλάς Δημήτριος
Επιστημονικό πεδίο
Φυσικές Επιστήμες
Φυσική
Λέξεις-κλειδιά
Τεχνική Languir - Blodgett; Νανοσωματίδια χρυσού; Μνήμη νανοκρυστάλλων; Μη πτητικές μνήμες; Υβριδική μνήμη; Πυρίτιο; Οργανικά υλικά; Συγκόλληση δισκιδίων σε χαμηλή θερμοκρασία; Τρανζίστορ Mosfet SiGe; Μνήμη σε τρισδιάστατη αρχιτεκτονική
Χώρα
Ελλάδα
Γλώσσα
Ελληνικά
Άλλα στοιχεία
409 σ., εικ.