Μελέτη τρανζίστορ λεπτών υμενίων πολυκρυσταλλικού πυριτίου με ηλεκτρικές μετρήσεις και μετρήσεις θορύβου χαμηλών συχνοτήτων για εφαρμογές στην μικροηλεκτρονική

Περίληψη

Η ραγδαία ανάπτυξη της τεχνολογίας ψηφιακής πληροφορίας έχει προκαλέσει το ολοένα και αυξανόμενο ενδιαφέρον για την ανάπτυξη της τεχνολογίας απεικόνισης επίπεδης οθόνης (Flat Panel Displays). Στην κατηγορία των επίπεδων οθονών απεικόνισης περιλαμβάνονται και οι οθόνες TFT, που βασίζουν την λειτουργία τους στα τρανζίστορ λεπτών υμενίων (Thin Film Transistor) πολυκρυσταλλικού πυριτίου και χρησιμοποιούνται ευρέως στους προσωπικούς υπολογιστές, στα κινητά τηλέφωνα, στις ψηφιακές κάμερες, στα ψηφιακά επιδιασκόπια και σε πολλές άλλες ηλεκτρονικές συσκευές. Επιπλέον, προβλέπεται ότι τα αμέσως επόμενα χρόνια τα TFTs πολυκρυσταλλικού πυριτίου θα χρησιμοποιηθούν σε εφαρμογές όπως οι οθόνες υγρών κρυστάλλων (LCD) με ολοκληρωμένους οδηγούς και οι μνήμες μεγάλης πυκνότητας SRAM με τρισδιάστατη ολοκλήρωση κυκλωμάτων. Βασική απαίτηση όλων των εφαρμογών είναι οι διατάξεις να έχουν υψηλή απόδοση και αξιόπιστη λειτουργία. Στην παρούσα διδακτορική εργασία μελετήθηκαν τρανζίστορ λεπτών υμενίων ενδογενούς ...
περισσότερα

Περίληψη σε άλλη γλώσσα

The evolution of the digital information technology leads to amazingly increasing interesting for the development of the flat panel displays. In recent years, Thin Film Transistor (TFT) flat panel displays, based on the polycrystalline silicon thin film transistors, have been used in a large number of applications such as personal computers, mobile phones, digital cameras and digital projectors. In addition, in the next years it is expected to integrate all of the peripheral driver circuitry directly onto the glass substrate for reducing the displays cost and to find applications in threedimensional VLSI circuits. For such applications, main issues associated with TFTs are their reliability and stability. In the present thesis, polycrystalline silicon TFTs fabricated on fused quartz glasses have been studied. First, amorphous silicon (α-Si) thin films were deposited on quartz glass substrates by low pressure chemical vapor deposition (LPCVD). Then the amorphous films were crystallized ...
περισσότερα
Πρέπει να είστε εγγεγραμένος χρήστης για έχετε πρόσβαση σε όλες τις υπηρεσίες του ΕΑΔΔ  Είσοδος /Εγγραφή

Όλα τα τεκμήρια στο ΕΑΔΔ προστατεύονται από πνευματικά δικαιώματα.

DOI
10.12681/eadd/14986
Διεύθυνση Handle
http://hdl.handle.net/10442/hedi/14986
Εναλλακτικός τίτλος
Electrical characterization of polycrystalline thin-film transistors with electrical and low-frequency noise measurements for microelectronic applications
Συγγραφέας
Χαστάς, Νικόλαος Αντώνιος
Ημερομηνία
2004
Ίδρυμα
Αριστοτέλειο Πανεπιστήμιο Θεσσαλονίκης (ΑΠΘ). Σχολή Θετικών Επιστημών. Τμήμα Φυσικής. Τομέας Φυσικής Στερεάς Κατάστασης
Εξεταστική επιτροπή
Δημητριάδης Χαράλαμπος
Λογοθετίδης Στέργιος
Παπαδημητρίου Λεωνίδας
Καρακώστας Θεόδωρος
Αναγνωστόπουλος Αντώνιος
Βαλασιάδης Οδυσσέας
Κυριάκος Δημήτριος
Επιστημονικό πεδίο
Φυσικές Επιστήμες
Φυσική
Λέξεις-κλειδιά
Πολυκρυσταλλικό πυρίτιο; Τρανζίστορ λεπτών υμενίων; Ανόπτηση με excimer laser; Θόρυβος χαμηλών συχνοτήτων; Θερμοί φορείς; Υδρογόνωση; Παγίδες όγκου; Διεπιφανειακή τραχύτητα
Χώρα
Ελλάδα
Γλώσσα
Ελληνικά
Άλλα στοιχεία
212 σ., εικ.