Εκτεταμένες ατέλειες σε ημιαγωγικές ενώσεις: [υπό] Ιωσήφ Π. Κιοσέογλου

Περίληψη

Στην παρούσα διατριβή μελετώνται ημιαγωγικά υμένια που βασίζονται στο Νιτρίδιο του Γαλλίου, τα οποία εμφανίζουν εξαιρετικές εφαρμογές στα κυανά και υπεριώδη μήκη κύματος σε οπτοηλεκτρονικές διατάξεις καθώς και σε διατάξεις τρανζίστορ υψηλών συχνοτήτων και υψηλών θερμοκρασιών. Τα υπό μελέτη υλικά είναι III-V ημιαγωγοί με ευρύ άμεσο ενεργειακό χάσμα. Τα επιταξιακά υμένια των σύνθετων III-V ημιαγωγών με βάση το νιτρίδιο του γαλλίου αναπτύσσονται, συνήθως, με δομή του βουρτσίτη, πάνω στο c-επίπεδο του σάπφειρου με τη χρήση των πλέον σύγχρονων τεχνικών ανάπτυξης όπως η επιταξία μοριακής δέσμης και η μεταλλοργανική χημική εναπόπθεση ατμών. Τέτοιου τύπου λεπτά υμένια συνήθως περιέχουν μεγάλη πυκνότητα ατελειών δομής όπως είναι οι εξαρμόσεις κακής συναρμογής και οι νηματοειδής, τα σφάλματα επιστοίβασης, τα όρια ανάστροφης πολικότητας και οι νανοσωλήνες. Προκαλεί ενδιαφέρων ότι διατάξεις με βάση τις παραπάνω ημιαγωγικές ενώσεις παρουσιάζουν ικανοποιητικές αποδόσεις παρά το μεγάλο πλήθος και την ...
περισσότερα

Περίληψη σε άλλη γλώσσα

The study reported in this thesis is related to Gallium Nitride based semiconducting layers whose industrial development needs a strong support from fundamental approaches. III-V materials are compound semiconductor with large direct band-gap are nowadays used for the production of optoelectronic devices in blue and ultraviolet wavelengths and in high frequency and high temperature transistors. GaN epitaxial layers with the wurtzite crystal structure are usually grown on cplane sapphire substrate using different deposition techniques. They commonly contain misfit and threading dislocations, basal and prismatic stacking faults, nanopipes, and inversion domain boundaries. It is challenging that devices comprising this material exhibit satisfactory performance despite the large density and multiplicity of microstructural defects. The aim of this thesis is to define and analyse the structural and energetic characteristics of extended defects in GaN layers. Experimental observations, using ...
περισσότερα
Πρέπει να είστε εγγεγραμένος χρήστης για έχετε πρόσβαση σε όλες τις υπηρεσίες του ΕΑΔΔ  Είσοδος /Εγγραφή

Όλα τα τεκμήρια στο ΕΑΔΔ προστατεύονται από πνευματικά δικαιώματα.

DOI
10.12681/eadd/14802
Διεύθυνση Handle
http://hdl.handle.net/10442/hedi/14802
Εναλλακτικός τίτλος
Extended defects in semiconductors
Συγγραφέας
Κιοσέογλου, Ιωσήφ Παύλος
Ημερομηνία
2004
Ίδρυμα
Αριστοτέλειο Πανεπιστήμιο Θεσσαλονίκης (ΑΠΘ). Σχολή Θετικών Επιστημών. Τμήμα Φυσικής. Τομέας Φυσικής Στερεάς Κατάστασης
Εξεταστική επιτροπή
Κομνηνού Φιλομήλα
Καρακώστας Θεόδωρος
Πολάτογλου Χαρίτων
Αργυράκης Παναγιώτης
Δημητριάδης Παναγιώτης
Μανωλίκας Κωνσταντίνος
Κεχαγιάς Θωμάς
Επιστημονικό πεδίο
Φυσικές Επιστήμες
Φυσική
Λέξεις-κλειδιά
Νιτρίδιο γαλλίου; Ημιαγωγοί; Ηλεκτρονική μικροσκοπία; Εμπειρικό δυναμικό; Εκτεταμένες ατέλειες; Εξαρμόσεις
Χώρα
Ελλάδα
Γλώσσα
Ελληνικά
Άλλα στοιχεία
238 σ., εικ.