ΝΑΝΟΔΟΜΕΣ ΠΥΡΙΤΙΟΥ ΓΙΑ ΟΠΤΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΕΣ ΕΦΑΡΜΟΓΕΣ.

Περίληψη

IN THIS WORK WE FABRICATED AND STUDIED THE PROPERTIES OF SILICON NANOWIRES USING CONVENTIONAL METHODS. THE FABRICATION PROCESS STARTED WITH HIGH RESOLUTIONLIFHOGRAPHY OBTAINED EITHER WITH ELECTRON BEAM LIFHOGRAPHY IN A DEEP-UV STEPPER USING A SURFACE IMAGING PROCESS. TAKING ADVANTAGE OF THE HIGH ANISOTROPIC DEVELOPMENT PROCESS OF THE SLYLATED PHOTORESIST WE WERE ABLE TO CREATE STRUCTURES WITH DIMENSIONS DOWN TO 40NM, BY APPLYING EXPOSURE AND DEVELOPMENT TRICKS. AFTER THE CREATION OF THE INITIAL MASK WE ANISOTROPICALLY DRY ETCHED THE SILICON SUBSTRATE USING FLNORINE-ONLY CONTAINING GOSES. BY THIS NOVEL ETCLUNG PROCESS THAT WE DEVELOPED WE WERE ABLE TO CRETE SILICON PILLARS AND WALLS WITH ASPECT RATIOS UP TO 50:1. THESE STRUCTURES WERE FURTHER THINNED BY THERMAL OXIDATION AND OXIDE REMOVAL. WE HAVE SHOWN THAT PROCESS IS SELL LIMITED LEADING TO THE CREATION OF A CRYSTALLINE SILICON CORE OF DIMENSIONS OF SOME NM, DEPANDING ON THE INITIAL DIMENSIONS AND OXITATION TEMPERA ...
περισσότερα
Πρέπει να είστε εγγεγραμένος χρήστης για έχετε πρόσβαση σε όλες τις υπηρεσίες του ΕΑΔΔ  Είσοδος /Εγγραφή

Όλα τα τεκμήρια στο ΕΑΔΔ προστατεύονται από πνευματικά δικαιώματα.

DOI
10.12681/eadd/9159
Διεύθυνση Handle
http://hdl.handle.net/10442/hedi/9159
Συγγραφέας
ΓΡΗΓΟΡΟΠΟΥΛΟΣ, ΣΠΥΡΟΣ
Ημερομηνία
1997
Ίδρυμα
Εθνικό Μετσόβιο Πολυτεχνείο (ΕΜΠ). Τμήμα Γενικό
Εξεταστική επιτροπή
ΑΝΑΣΤΑΣΑΚΗΣ Ε.
ΑΒΑΡΙΤΣΙΩΤΗΣ Ι.
ΔΡΗΣ Ε.
ΜΟΔΙΝΟΣ Α.
ΠΑΠΑΙΩΑΝΝΟΥ Γ.
ΡΑΠΤΗΣ Κ.
ΡΑΠΤΗΣ Ι.
ΝΑΣΙΟΠΟΥΛΟΥ Α.
Επιστημονικό πεδίο
Μηχανική & Τεχνολογία
Λέξεις-κλειδιά
ΑΝΙΣΟΤΡΟΠΙΚΗ ΧΑΡΑΞΗ; ΑΥΞΗΣΗ ΕΝΕΡΓΕΙΑΚΟΥ ΧΑΣΜΑΤΟΣ; ΕΚΠΟΜΠΗ ΦΩΤΟΣ; ΕΠΙΠΕΔΟΠΟΙΗΣΗ; ΕΠΙΦΑΝΕΙΑΚΗ ΑΔΡΑΝΟΠΟΙΗΣΗ; ΘΕΡΜΙΚΗ ΟΞΕΙΔΩΣΗ; Κβαντικά φαινόμενα; Λιθογραφία; Νανοδομές; Νανονήματα; Οπτοηλεκτρονικές διατάξεις; Πυρίτιο; ΦΘΟΡΙΟΥΧΑ ΑΕΡΙΑ
Χώρα
Ελλάδα
Γλώσσα
Ελληνικά