Νανοσωματίδια ως δομικά στοιχεία ηλεκτρονικών διατάξεων

Περίληψη

Στην παρούσα διατριβή διερευνήθηκε η σύνθεση ημιαγωγικών νανοκρυσταλιτών πυριτίου (νκ-Si) εντός πολύ λεπτών υμενίων διοξειδίου του πυριτίου, με σκοπό την κατασκευή ηλεκτρονικών διατάξεων μνήμης, στις οποίες οι νκ-Si χρησιμοποιούνται ως διακριτές θέσεις αποθήκευσης ηλεκτρικών φορτίων. Η σύνθεση των νκ-Si πραγματοποιήθηκε χρησιμοποιώντας ιοντική εμφύτευση πολύ χαμηλής ενέργειας (0.65-2keV).Έγιναν πειράματα εμφύτευσης σε εργαστηριακό και βιομηχανικό εμφυτευτή. Στα πειράματα με βιομηχανικό εμφυτευτή μελέτες TEM απέδειξαν ότι (α) αύξηση της ενέργειας προκαλεί αύξηση του βάθους σχηματισμού του διδιάστατου στρώματος σχηματισμού των νκ-Si και (β) αύξηση της δόσης εμφύτευσης οδηγεί στο σχηματισμού νησίδων πυριτίου οι οποίες μπορούν να ανταλλάσσουν φορτία μεταξύ τους. Η καταλληλότερη ενέργεια εμφύτευσης είναι 1keV και η καταλληλότερη δόση 21016Si+cm-2. Με την βοήθεια ηλεκτρικών μεθόδων χαρακτηρισμού των πυκνωτών MOS προσδιορίσθηκε ο ρόλος της ενέργειας και της δόσης εμφύτευσης στα φαινόμενα μ ...
περισσότερα

Περίληψη σε άλλη γλώσσα

In this thesis, the synthesis of semiconductor nanocrystals (Si-ncs) embedded into thin silicon dioxide layers was studied, in order to fabricate electronic memory devices where the Si-ncs should act as discrete charge storage nodes. The synthesis of Si-ncs was achieved by very low energy ion beam synthesis (0.65 – 2 keV). Ion implantation experiments were performed in laboratory and industrial implanters. Results from devices prepared by the industrial implanter were reliable for both quantitative and qualitative results because the industrial implantation system (a) has a monoenergetic ion beam and (b) has a charge neutralization system. TEM studies on samples fabricated by an industrial implantation system revealed that (a) the fabrication of a Si-ncs 2D array occurred deeper into the silicon dioxide matrix as the implantation energy increased and (b) elongated Si-ncs that were not mutually isolated and exchange charges were formed by increase of the implantation dose. In addition, ...
περισσότερα

Όλα τα τεκμήρια στο ΕΑΔΔ προστατεύονται από πνευματικά δικαιώματα.

DOI
10.12681/eadd/27744
Διεύθυνση Handle
http://hdl.handle.net/10442/hedi/27744
ND
27744
Εναλλακτικός τίτλος
Nanoparticles for Electronic Devices
Συγγραφέας
Δημητράκης, Παναγιώτης του Σπυρίδων
Ημερομηνία
2012
Ίδρυμα
Εθνικό Μετσόβιο Πολυτεχνείο (ΕΜΠ). Σχολή Εφαρμοσμένων Μαθηματικών και Φυσικών Επιστημών. Τομέας Φυσικής
Εξεταστική επιτροπή
Τσουκαλάς Δημήτριος
Ράπτης Ιωάννης
Θαναηλάκης Αντώνιος
Τσαμάκης Δημήτριος
Πίσσης Πολύκαρπος
Δρης Εμμανουήλ
Γεωργακίλας Αλέξανδρος
Επιστημονικό πεδίο
Επιστήμες Μηχανικού και Τεχνολογία
Νανοτεχνολογία
Λέξεις-κλειδιά
Νανοσωματίδια; Νανοσωματίδια πυριτίου; Νανοκρυσταλλίτες πυριτίου; Ιοντική εμφύτευση; Μη πτητικές μνήμες; Μνήμες νανοκρυσταλλιτών; Τρανζίστορ
Χώρα
Ελλάδα
Γλώσσα
Ελληνικά
Άλλα στοιχεία
xl, 310 σ., εικ., πιν., σχημ., γραφ., ευρ.
Στατιστικά χρήσης
ΠΡΟΒΟΛΕΣ
Αφορά στις μοναδικές επισκέψεις της διδακτορικής διατριβής.
Πηγή: Google Analytics.
ΞΕΦΥΛΛΙΣΜΑΤΑ
Αφορά στο άνοιγμα του online αναγνώστη.
Πηγή: Google Analytics.
ΜΕΤΑΦΟΡΤΩΣΕΙΣ
Αφορά στο σύνολο των μεταφορτώσων του αρχείου της διδακτορικής διατριβής.
Πηγή: Εθνικό Αρχείο Διδακτορικών Διατριβών.
ΧΡΗΣΤΕΣ
Αφορά στις μοναδικές επισκέψεις της διδακτορικής διατριβής.
Πηγή: Εθνικό Αρχείο Διδακτορικών Διατριβών.
Σχετικές εγγραφές (με βάση τις επισκέψεις των χρηστών)