Χαρακτηρισμός και μοντέλα τρανζίστορ λεπτών υμενίων βιομηχανικής παραγωγής: τεχνολογία πολυκρυσταλλικού και μκροκρυσταλλικού πυριτίου χαμηλής θερμοκρασίας

Περίληψη

Οι τελευταίες εξελίξεις στη βιομηχανία οθονών είναι η ραγδαία αύξηση του μεγέθους και της ανάλυσης των επίπεδων οθονών απεικόνισης υγρών κρυστάλλων καθώς και η μείωση του κόστους. Το πρώτο επιτυγχάνεται κατά ένα μέρος αυξάνοντας την επιφάνεια εναπόθεσης των συστημάτων ανάπτυξης. Τα τρανζίστορ λεπτών υμενίων (Thin Film Transistors, TFTs) που χρησιμοποιούνται ως στοιχεία διακοπτών και ως στοιχεία για τα περιφερειακά ηλεκτρονικά κυκλώματα των επίπεδων οθονών υγρών κρυστάλλων, συνήθως κατασκευάζονται από υδρογονωμένο άμορφο πυρίτιο (a-Si:H) επειδή το υλικό αυτό μπορεί να εναποτεθεί εύκολα σε χαμηλή θερμοκρασία και σε μεγάλη έκταση πάνω σε φθηνά υποστρώματα γυαλιού. Όμως, η χαμηλή ευκινησία των φορέων και η φτωχή σταθερότητα που παρουσιάζουν τα TFTs a-Si:H, δεν καθιστούν την τεχνολογία του αμόρφου πυριτίου ικανή για την ολοκλήρωση των κυκλωμάτων οδήγησης των TFTs στις οθόνες απεικόνισης. Τα TFTs υμενίων πολυκρυσταλλικού πυριτίου έχουν μεγαλύτερη ευστάθεια και ευκινησία φορέων, οπότε είναι κ ...
περισσότερα

Περίληψη σε άλλη γλώσσα

In the active matrix liquid crystal display industry the latest achievements is the increase of the display dimensions, the resolution and the reduction of the production cost. The first is achieved by increasing the dimensions of the surface of the deposition systems. The thin-film transistors (TFTs) that are used as switching elements in the driver circuits of the liquid crystal displays, are usually manyfactured by hydrogenated amorpous silicon (a-Si:H) because it can be deposited at lower temperatures, on larger surfaces and on cheaper glass substrates. However, the low carrier mobility and the poor stability that the a-Si:H TFTs have, makes them unsuitable for the integration of the driver circuits with the displays. The thin-film transistors have higher stability and carrier mobility and this makes them better choise for high speed, intrinsic stability and higher resolution displays. The disadvantage is the higher temperature that is needed for the crystallization of a-Si:H and t ...
περισσότερα

Όλα τα τεκμήρια στο ΕΑΔΔ προστατεύονται από πνευματικά δικαιώματα.

DOI
10.12681/eadd/19677
Διεύθυνση Handle
http://hdl.handle.net/10442/hedi/19677
ND
19677
Εναλλακτικός τίτλος
Characterization and modeling of thin film transistors of industrial fabrication: low temperature polycrystalline and microcrystalline silicon technology
Συγγραφέας
Χατζόπουλος, Αργύριος του Θεόδωρος
Ημερομηνία
2008
Ίδρυμα
Αριστοτέλειο Πανεπιστήμιο Θεσσαλονίκης (ΑΠΘ). Σχολή Θετικών Επιστημών. Τμήμα Φυσικής. Τομέας Φυσικής Στερεάς Κατάστασης
Εξεταστική επιτροπή
Δημητριάδης Χαράλαμπος
Σάχαλος Ιωάννης
Αναγνωστόπουλος Αντώνιος
Σίσκος Στυλιανός
Παπαδημητρίου Λεωνίδας
Λαόπουλος Θεόδωρος
Βαλασιάδης Οδυσσέας
Επιστημονικό πεδίο
Φυσικές ΕπιστήμεςΦυσική
Λέξεις-κλειδιά
Τρανζίστορ λεπτών υμενίων; Πολυκρυσταλλικό πυρίτιο; Νανοκρυσταλλικό πυρίτιο; Διστρωματικό; Θόρυβος χαμηλών συχνοτήτων; Μοντέλο ρεύματος; Πύλη από κάτω πλευρά; Υποβάθμιση
Χώρα
Ελλάδα
Γλώσσα
Ελληνικά
Άλλα στοιχεία
190 σ., εικ.
Στατιστικά χρήσης
ΠΡΟΒΟΛΕΣ
Αφορά στις μοναδικές επισκέψεις της διδακτορικής διατριβής.
Πηγή: Google Analytics.
ΞΕΦΥΛΛΙΣΜΑΤΑ
Αφορά στο άνοιγμα του online αναγνώστη.
Πηγή: Google Analytics.
ΜΕΤΑΦΟΡΤΩΣΕΙΣ
Αφορά στο σύνολο των μεταφορτώσων του αρχείου της διδακτορικής διατριβής.
Πηγή: Εθνικό Αρχείο Διδακτορικών Διατριβών.
ΧΡΗΣΤΕΣ
Αφορά στις μοναδικές επισκέψεις της διδακτορικής διατριβής.
Πηγή: Εθνικό Αρχείο Διδακτορικών Διατριβών.
Σχετικές εγγραφές (με βάση τις επισκέψεις των χρηστών)