Οργανομεταλλική επίστρωση κεραμικών υμενίων υψηλής διηλεκτρικής σταθεράς για την τεχνολογία δυναμικής μνήμης τάξης μεγέθους Gbit

Περίληψη

Η επόμενη γενιά μνήμης DRAM απαιτεί τη σμίκρυνση του πυκνωτή αποθήκευσης ηλεκτρικού φορτίου. Ο δρόμος προς μικρότερους πυκνωτές, οι οποίοι είναι σε θέση να διατηρήσουν ικανοποιητικό ηλεκτρικό φορτίο για την αναγνώριση της λογικής κατάστασης, οδηγεί σε υλικά υψηλής διηλεκτρικής σταθεράς. Το (Ba,Sr)TiO3, ή αλλιώς BST, είναι το πιο ελπιδοφόρο από αυτά τα νέα υλικά, δεδομένου ότι προσφέρει υψηλή διηλεκτρική σταθερά σε συνδυασμό με χαμηλή διαρροή φορτίου. H εναπόθεση BST μέσω οργανομεταλλικής επίστρωσης (MOCVD) θεωρείται ως η βέλτιστη μέθοδος για την παραγωγή λεπτών υμενίων (φιλμ) του υλικού, εν όψει της χρήσης του σε μνήμες DRAM, προκειμένου να επιτευχθεί ομοιογενής κάλυψη των τρισδιάστατων δομών που τις χαρακτηρίζουν. Η παρούσα διατριβή ασχολείται με την ανάπτυξη των λεπτών υμενίων BST χρησιμοποιώντας ένα πρωτότυπο εργαλείο MOCVD για την εναπόθεση του οξειδίου και την συστηματική κατανόηση των ιδιοτήτων του, ως συνάρτηση της σύνθεσής του και των παραμέτρων της δημιουργίας του. Ο σκοπός ...
περισσότερα

Περίληψη σε άλλη γλώσσα

The next generation of DRAM memories demands the miniaturization of the storage capacitor. The road to smaller capacitors still able to maintain a sufficient amount of charge in terms of an error free logic state recognition leads to high-k materials. (Ba,Sr)TiO3 is the most promising of these new materials, since it offers a high relative permittivity combined with low leakage. Deposition of BST via MOCVD is considered to be the method of choice for thin films in view of DRAM application, in order to achieve homogenous growth and sufficient step coverage in high aspect ratio trenches. This thesis is concerned with the MOCVD growth of BST thin films using a prototype tool for oxide deposition and the systematical understanding of the film properties as a function of their composition and of the growth parameters. The scope of this thesis is twofold. From the engineering point of view an existing MOCVD tool, the AIXTRON Planetary Reactor® 2600G3 that has been developed for the growth ...
περισσότερα

Όλα τα τεκμήρια στο ΕΑΔΔ προστατεύονται από πνευματικά δικαιώματα.

DOI
10.12681/eadd/26934
Διεύθυνση Handle
http://hdl.handle.net/10442/hedi/26934
ND
26934
Εναλλακτικός τίτλος
MOCVD of high-K ceramic thin films for the Gbit DRAM technology
Συγγραφέας
Φυτσιλής, Φώτιος του Γεώργιος
Ημερομηνία
2002
Ίδρυμα
Rheinisch - Westfalischen Technischen Hochschule Aachen
Εξεταστική επιτροπή
Waser Rainer
Wlke Bernhard
Heuken Michael



Επιστημονικό πεδίο
Επιστήμες Μηχανικού και Τεχνολογία
Επιστήμη Ηλεκτρολόγου Μηχανικού, Ηλεκτρονικού Μηχανικού, Μηχανικού Η/Υ
Λέξεις-κλειδιά
Οργανομεταλλική επίστρωση; Υψηλή διηλεκτρική σταθερά; Δυναμική μνήμη; Συστατική ανάλυση; Ηλεκτρική ανάλυση; Δομική ανάλυση; Αέρια κατάσταση; Στερεά κατάσταση; Ηλεκτροκεραμικά υλικά; Οξείδια τιτανίου; Υμένια
Χώρα
Γερμανία
Γλώσσα
Αγγλικά
Άλλα στοιχεία
141 σ., εικ., πιν., σχημ., γραφ.
Στατιστικά χρήσης
ΠΡΟΒΟΛΕΣ
Αφορά στις μοναδικές επισκέψεις της διδακτορικής διατριβής.
Πηγή: Google Analytics.
ΞΕΦΥΛΛΙΣΜΑΤΑ
Αφορά στο άνοιγμα του online αναγνώστη.
Πηγή: Google Analytics.
ΜΕΤΑΦΟΡΤΩΣΕΙΣ
Αφορά στο σύνολο των μεταφορτώσων του αρχείου της διδακτορικής διατριβής.
Πηγή: Εθνικό Αρχείο Διδακτορικών Διατριβών.
ΧΡΗΣΤΕΣ
Αφορά στις μοναδικές επισκέψεις της διδακτορικής διατριβής.
Πηγή: Εθνικό Αρχείο Διδακτορικών Διατριβών.
Σχετικές εγγραφές (με βάση τις επισκέψεις των χρηστών)