Ολοκληρωμένη προσομοίωση εξέλιξης τοπογραφίας κατά την εγχάραξη μικρο- και νανο-δομών με πλάσμα

Περίληψη

Για την κατασκευή δομών μικροηλεκτρονικής και μικρο-ηλεκτρο-μηχανικών συστημάτων (Micro-Electro-Mechanical Systems, MEMS) χρησιμοποιείται τεχνολογία μεταφοράς σχήματος (λιθογραφία και εγχάραξη με πλάσμα ή με υγρά αντιδραστήρια) η οποία βασίζεται στην απόθεση και σχηματοποίηση διαδοχικών επίπεδων στρωμάτων. Ο έλεγχος του σχήματος των εγχαρασσόμενων δομών είναι αναγκαίος για την ορθή λειτουργία των αντίστοιχων μικροηλεκτρονικών διατάξεων και μικρο-ηλεκτρο-μηχανικών συστημάτων. Σημαντικά προβλήματα κατά την εγχάραξη δομών με πλάσμα, τα οποία δυσχεραίνουν τον έλεγχο του σχήματος των κατασκευαζόμενων δομών, είναι η απώλεια μικροσκοπικής ομοιομορφίας (π.χ. υστέρηση εγχάραξης) και οι αποκλίσεις από απόλυτα κάθετα τοιχώματα στις εγχαρασσόμενες δομές. Στην κατανόηση των μηχανισμών που προκαλούν τα προβλήματα κατά την εγχάραξη δομών με πλάσμα, και γενικότερα στον έλεγχο του σχήματος των εγχαρασσόμενων δομών, μπορεί να συμβάλει, εκτός από την πειραματική μελέτη, και η προσομοίωση της εξέλιξης τοπ ...
περισσότερα

Περίληψη σε άλλη γλώσσα

The technology used for the fabrication of microelectronics devices and microelectro- mechanical systems (MEMS) is based on the successive deposition or growth of planar layers and the subsequent transfer of the desired pattern onto these layers. Lithography and plasma or wet etching are the essential steps of this technology. Profile control of the etched structures is necessary for the efficient operation of the corresponding microelectronics devices and MEMS. The loss of microscopic uniformity (e.g reactive ion etching lag) and deviations from the perfectly anisotropic profiles of the structures (e.g. microtrenching, sidewall bowing, roughness) are etching artifacts that make the profile control difficult. There is a need to understand the mechanisms causing these artifacts and suppress them. Besides experimental study, topography evolution simulation of the etched structures can contribute to this direction. The goal of this work is the development of an integrated simulation frame ...
περισσότερα
Πρέπει να είστε εγγεγραμένος χρήστης για έχετε πρόσβαση σε όλες τις υπηρεσίες του ΕΑΔΔ  Είσοδος /Εγγραφή

Όλα τα τεκμήρια στο ΕΑΔΔ προστατεύονται από πνευματικά δικαιώματα.

DOI
10.12681/eadd/16428
Διεύθυνση Handle
http://hdl.handle.net/10442/hedi/16428
Εναλλακτικός τίτλος
Integrated simulation of topography evolution during plasma etching of micro- and nano- structures
Συγγραφέας
Κόκκορης, Γεώργιος Παναγιώτης
Ημερομηνία
2005
Ίδρυμα
Εθνικό Μετσόβιο Πολυτεχνείο (ΕΜΠ). Σχολή Χημικών Μηχανικών. Τομέας Ανάλυσης, Σχεδιασμού και Ανάπτυξης Διεργασιών και Συστημάτων (ΙΙ)
Εξεταστική επιτροπή
Μπουντουβής Ανδρέας
Θεοδώρου Θεόδωρος
Ματαράς Δημήτριος
Παπαϊωάννου Άγγελος
Τσαγγάρης Σωκράτης
Τσουκαλάς Δημήτριος
Χιτζανίδης Κυριάκος
Επιστημονικό πεδίο
Μηχανική & Τεχνολογία
Επιστήμες Χημικού Μηχανικού
Λέξεις-κλειδιά
Εγχάραξη με πλάσμα; Μέθοδος ισοϋψών; Προσομοίωση εξέλιξης συνόρου; Πυρίτιο; Οξείδιο πυριτίου; Μικροηλεκτρονική; Μικροσυστήματα; Επαλήθευση κώδικα
Χώρα
Ελλάδα
Γλώσσα
Ελληνικά
Άλλα στοιχεία
438 σ., εικ.