Ανάπτυξη και μελέτη διατάξεων HFET του ημιαγωγού GaN για εφαρμογές σε χημικούς αισθητήρες
Πρέπει να είστε εγγεγραμένος χρήστης για έχετε πρόσβαση σε όλες τις υπηρεσίες του ΕΑΔΔ  Είσοδος /Εγγραφή

Όλα τα τεκμήρια στο ΕΑΔΔ προστατεύονται από πνευματικά δικαιώματα.

DOI
10.12681/eadd/15970
Διεύθυνση Handle
http://hdl.handle.net/10442/hedi/15970
Εναλλακτικός τίτλος
Development and characterization of GaN HFET devices for chemical sensing applications
Συγγραφέας
Αλιφραγκής, Ιωάννης Γεώργιος
Ημερομηνία
2007
Ίδρυμα
Πανεπιστήμιο Κρήτης. Σχολή Θετικών και Τεχνολογικών Επιστημών. Τμήμα Χημείας. Εργαστήριο Αναλυτικής Χημείας
Εξεταστική επιτροπή
Χανιωτάκης Νικόλαος
Βαρώτσης Κωνσταντίνος
Γεωργακίλας Αλέξανδρος
Δημάδης Κωνσταντίνος
Μιχαλόπουλος Νικόλαος
Τζανετάκης Παναγιώτης
Τρικαλίτης Παντελής
Επιστημονικό πεδίο
Φυσικές Επιστήμες
Χημεία
Λέξεις-κλειδιά
Χημικοί αισθητήρες; Νιτρίδιο γαλλίου; Ετεροεπαφές; Ιοντοεπιλεκτικά τρανζίστορ επίδρασης πεδίου; Επιλεκτικά ηλεκτρόδια ιόντων; Μικροαισθητήρες; Χημικοί αισθητήρες στερεάς κατάστασης
Χώρα
Ελλάδα
Γλώσσα
Ελληνικά
Άλλα στοιχεία
188 σ., εικ.