Δομικός χαρακτηρισμός λεπτών υμενίων υλικών προηγμένης τεχνολογίας με τεχνικές μικροσκοπίας: Pd σε υπόστρωμα 6H-SiC (0001), BN σε Si(100) και CeO2 σε Si (100)

Περίληψη

Το αντικείμενο της εργασίας αυτής, είναι ο δομικός χαρακτηρισμός λεπτών υμενίων τριών συστημάτων που παρουσιάζουν σημαντικό τεχνολογικές ενδιαφέρον: α) Pd/6H-SiC(0001) β) BN/Si(100) και γ) CeO2/Si(100). Οι τεχνικές που χρησιμοποιήθηκαν είναι η Συμβατική Ηλεκτρονική Μικροσκοπία (TEM), η Ηλεκτρονική Μικροσκοπία Υψηλής Διακριτικής Ικανότητας (HRTEM) και η Μικροσκοπία Ατομικών Δυνάμεων (AFM). Ως κύριος στόχος της παρούσας εργασίας ορίστηκε, η λεπτομερής παρατήρηση, μελέτη, πιστοποίηση και μοντελοποίηση των δομικών χαρακτηριστικών που εμφανίζουν τα τρία αυτά συστήματα. Τα αποτελέσματα της εργασίας αυτής συνέβαλλαν σημαντικά στην παραμετροποίηση και βελτιστοποίηση των συνθηκών ανάπτυξης αυξάνοντας σημαντικά το βαθμό επαναληψιμότητας στην παραγωγή λεπτών υμενίων με ιδιαίτερο τεχνολογικό αντίκρισμα. Το πρώτο σύστημα που εξετάζεται είναι το σύστημα Pd/6H-SiC(0001). Ο δομικός χαρακτηρισμός έδειξε ότι η εναπόθεση του υμενίου σε θερμοκρασία δωματίου οδηγεί σε πολύ καλή επιταξιακή ανάπτυξη. Κατ ...
περισσότερα

Περίληψη σε άλλη γλώσσα

This thesis deals with structural characterisation of three different systems of thin films with great technological impact: a) Pd/6H-SiC(0001) b) BN/Si(100) and c) CeO2/Si(100). Various complementary microscopy techniques were employed such as Transmission Electron Microscopy (TEM), High Resolution Transmission Electron Microscopy (HRTEM) and Atomic Force Microscopy (AFM) to identify the structural profile via detailed study, analysis and modeling. The scientific results of this thesis contributed to parameterization and optimization of deposition condition leading to high degree of reproducibility of thin film fabrication. The structural study of Pd/6H-SiC(0001) revealed that deposition at room temperature leads to epitaxial growth. During deposition, structural defects and twinning are observed with two different twin interfaces {111} Σ=3 and {11} Σ=3 existing between the two crystals. This study also included modelling and quantitative simulation analysis found in good agreement wi ...
περισσότερα
Πρέπει να είστε εγγεγραμένος χρήστης για έχετε πρόσβαση σε όλες τις υπηρεσίες του ΕΑΔΔ  Είσοδος /Εγγραφή

Όλα τα τεκμήρια στο ΕΑΔΔ προστατεύονται από πνευματικά δικαιώματα.

DOI
10.12681/eadd/15274
Διεύθυνση Handle
http://hdl.handle.net/10442/hedi/15274
Εναλλακτικός τίτλος
Structural characterisation of thin films advanced materials with microscopy techniques: Pd on 6H-SiC(0001), BN /Si(100) and CeO2/Si(100)
Συγγραφέας
Τσιαούσης, Ιωάννης Δημήτριος
Ημερομηνία
2006
Ίδρυμα
Αριστοτέλειο Πανεπιστήμιο Θεσσαλονίκης (ΑΠΘ). Σχολή Θετικών Επιστημών. Τμήμα Φυσικής. Τομέας Φυσικής Στερεάς Κατάστασης
Εξεταστική επιτροπή
Φράγκης Νικόλαος
Μανωλίκας Κωνσταντίνος
Λιούτας Χρήστος
Αντωνόπουλος Ιωάννης
Λογοθετίδης Στέργιος
Πολυχρονιάδης Ευστάθιος
Κομνηνού Φιλομήλα
Επιστημονικό πεδίο
Φυσικές Επιστήμες
Φυσική
Λέξεις-κλειδιά
Επιταξιακή ανάπτυξη παλλαδίου; Υπολογιστική προσομοίωση διεπιφανειών; Νανοκρυστάλλοι; Νανοσωλήνες; Ηλεκτρονική μικροσκοπία υψηλής διακριτικής ικανότητας; Ηλεκτρονική μικροσκοπία διερχόμενης δέσμης; Μικροσκοπία ατομικών δυνάμεων
Χώρα
Ελλάδα
Γλώσσα
Ελληνικά
Άλλα στοιχεία
194 σ., εικ.