Μοντελοποίηση πολλαπλών κλιμάκων και πειραματική ανάλυση της απόθεσης ατομικού στρώματος (ALD) οξειδίου του αλουμινίου: αλληλεπίδραση δυναμικής της διεργασίας, χημείας, και διεπιφανειακών φαινομένων

Περίληψη

Η συνεχής συρρίκνωση των μικροηλεκτρονικών συσκευών αλλά και γενικότερα η ανάγκη νανομετρικών λεπτών υμενίων σε όλες τις τεχνολογίες κλειδιά έχει ωθήσει προς την ανάγκη για παραγωγή τέτοιων υμεμίων με υψηλό έλεγχο της σύστασης, του πάχους και της ομοιομορφίας τους. Στο πλαίσιο αυτό, η ALD έχει αναδειχθεί ως η βέλτιστη διεργασία για την παραγωγή τους. H ALD είναι κυκλική διεργασία, υποκατηγορία της Χημικής Απόθεσης από Ατμό, που βασίζεται στη διαδοχική έκθεση ενός υποστρώματος σε συνήθως δύο αντιδρώντα, με τα οποία αντιδρά μέσω αυτο-περιοριζόμενων αντιδράσεων. Αντλώντας τα πλεονεκτήματά της από την αυτο-περιοριζόμενη φύση των επιφανειακών αντιδράσεων που εμπλέκονται κατά τη διεργασία, η ALD μπορεί θεωρητικά να παράγει υμένια με έλεγχο του πάχους του υμενίου σε κάποια Å. Αν και τα πλεονεκτήματα της ALD είναι ασύγκριτα μεταξύ άλλων τεχνικών απόθεσης, παρ' όλα αυτά παρουσιάζει ορισμένα μειονεκτήματα για την απόθεση λεπτότατων υμενίων μερικών νανομέτρων. Η απόθεση στα αρχικά στάδια της ALD ...
περισσότερα

Περίληψη σε άλλη γλώσσα

The constant shrinking of microelectronic devices requires the production of conformal and uniform nanometric thin films, with a high chemical purity and abrupt interfaces. In this context, Atomic Layer Deposition (ALD) has emerged as a favorable process to produce such films. Drawing its advantages from the self-limiting nature of the surface reactions involved, ALD can yield thickness control down to the monolayer, producing conformal films of high purity.Although ALD has many advantages, drawbacks arise when depositing films of some nanometers. In particular, the initial island growth and the formation of an interfacial oxide layer are two of its main limitations, especially for the case of metal oxide ALD on Si. Moreover, the deposition on large area wafers is not always uniform, and depends on the reactor and process design. These drawbacks need to be suppressed in order to establish ALD as the adequate process for the deposition of high-k gate oxides on Si, essential for the prod ...
περισσότερα
Πρέπει να είστε εγγεγραμένος χρήστης για έχετε πρόσβαση σε όλες τις υπηρεσίες του ΕΑΔΔ  Είσοδος /Εγγραφή

Όλα τα τεκμήρια στο ΕΑΔΔ προστατεύονται από πνευματικά δικαιώματα.

Διεύθυνση Handle
http://hdl.handle.net/10442/hedi/46766
ND
46766
Εναλλακτικός τίτλος
Multi-scale modelling and experimental analysis of ALD alumina: interplay of process dynamics, chemistry and interfacial phenomena
Συγγραφέας
Γάκης, Γεώργιος-Παύλος του Ιωάννης
Ημερομηνία
2019
Ίδρυμα
Εθνικό Μετσόβιο Πολυτεχνείο (ΕΜΠ). Σχολή Χημικών Μηχανικών. Τομέας Ανάλυσης, Σχεδιασμού και Ανάπτυξης Διεργασιών και Συστημάτων (ΙΙ)
Εξεταστική επιτροπή
Μπουντουβής Ανδρέας
Παπαθανασίου Αθανάσιος
Caussat B.
Παυλάτου Ευαγγελία
Δημουλάς Α.
Blanquet E.
Scheid E.
Turgambaeva Dr.
Επιστημονικό πεδίο
Μηχανική & Τεχνολογία
Επιστήμες Χημικού Μηχανικού
Λέξεις-κλειδιά
Οξείδιο του αλουμινίου; Ανάλυση πολλαπλών κλιμάκων; Υπολογιστική ανάλυση; Πειραματική ανάλυση; Προσομοίωση; Υπολογιστική ρευστοδυναμική; Χημεία; Διεπιφανειακά φαινόμενα
Χώρα
Ελλάδα
Γλώσσα
Αγγλικά
Άλλα στοιχεία
293 σ., εικ., πιν., σχημ., γραφ.