Νανοηλεκτρονικές διατάξεις μνήμης

Περίληψη

Η ολοένα και αυξανόμενη αγορά διατάξεων μνήμης λόγω της ταχύτατης διάδοσης φορητών ηλεκτρονικών συσκευών (smartphones, tablets κ.α.), έχει οδηγήσει σε ραγδαία ανάπτυξη της τεχνολογίας των μη-πτητικών μνημών, δηλαδή των μνημών που διατηρούν την αποθηκευμένη πληροφορία ακόμα και με απώλεια τροφοδοσίας ισχύος. Οι μνήμες FLASH αποτελούν μέχρι σήμερα τον κυρίαρχο εκπρόσωπο των μη-πτητικών μνημών, και έχουν καταφέρει να επιβιώσουν μέχρι τον τεχνολογικό κόμβο των 16 nm. Ωστόσο οι μνήμες FLASH φτάνουν τα φυσικά όρια σμίκρυνσής τους, λόγω κυρίως των μεγάλων ρευμάτων διαρροής που παρουσιάζουν σε μικρά πάχη οξειδίων και τα οποία καθιστούν τις καταστάσεις εγγραφής/διαγραφής μη διακρίσιμες. Επίσης, είναι επιβεβλημένο να εξερευνηθούν νέα σενάρια διατάξεων μνήμης ώστε να καλυφθεί το κενό που υπάρχει ανάμεσα στης υψηλής απόδοσης, χαμηλής πυκνότητας ολοκλήρωσης και δαπανηρές SRAM και DRAM, και στις χαμηλού κόστους, υψηλής πυκνότητας και χαμηλής απόδοσης HDD.Για αυτό το λόγο τα τελευταία χρόνια βρίσκετα ...
περισσότερα

Περίληψη σε άλλη γλώσσα

The ever-increasing market for memories due to the widespread of portable electronics, (smartphones, tablets, etc.), has led to an enormous expansion of non-volatile memories, namely memories which maintain the stored information even without voltage supply. The main leader is represented by Flash technology, which has dominated the market in the last decades and has now reached the 16 nm scaling node. However, Flash memory is reaching its scaling limits due to issues related with big leakage currents in thin film oxides, which render the write/erase states indistinguishable. In addition, there is a urgent need to explore new memory concepts capable of filling the gap which actually exists between the high-performance, low area density and expensive SRAM and DRAM, and the low cost, high density, but low-performance HDD.For this reason, in the last years there has been a huge effort in both industrial and academic research groups to overcome this scaling issue by realizing new and revol ...
περισσότερα

Όλα τα τεκμήρια στο ΕΑΔΔ προστατεύονται από πνευματικά δικαιώματα.

Διεύθυνση Handle
http://hdl.handle.net/10442/hedi/42493
ND
42493
Εναλλακτικός τίτλος
Nanoelectronic memory devices
Συγγραφέας
Μπούσουλας, Παναγιώτης του Αναστάσιος
Ημερομηνία
2017
Ίδρυμα
Εθνικό Μετσόβιο Πολυτεχνείο (ΕΜΠ). Σχολή Εφαρμοσμένων Μαθηματικών και Φυσικών Επιστημών. Τμήμα Φυσικής
Εξεταστική επιτροπή
Τσουκαλάς Δημήτριος
Ράπτης Ιωάννης
Normand Pascal
Τσέτσερης Λεωνίδας
Ζεργιώτη Ιωάννα
Ξανθάκης Ιωάννης
Δημητράκης Παναγιώτης
Επιστημονικό πεδίο
Επιστήμες Μηχανικού και Τεχνολογία
Νανοτεχνολογία
Λέξεις-κλειδιά
Μη πτητικές μνήμες; Κενές θέσεις οξυγόνου; Διαχυτότητα; Θερμοκρασία; Νευρομορφικές εφαρμογές
Χώρα
Ελλάδα
Γλώσσα
Ελληνικά
Άλλα στοιχεία
xvii, 237 σ., εικ., πιν., σχημ., γραφ.
Ειδικοί όροι χρήσης/διάθεσης
Το έργο παρέχεται υπό τους όρους της δημόσιας άδειας του νομικού προσώπου Creative Commons Corporation:
Στατιστικά χρήσης
ΠΡΟΒΟΛΕΣ
Αφορά στις μοναδικές επισκέψεις της διδακτορικής διατριβής.
Πηγή: Google Analytics.
ΞΕΦΥΛΛΙΣΜΑΤΑ
Αφορά στο άνοιγμα του online αναγνώστη.
Πηγή: Google Analytics.
ΜΕΤΑΦΟΡΤΩΣΕΙΣ
Αφορά στο σύνολο των μεταφορτώσων του αρχείου της διδακτορικής διατριβής.
Πηγή: Εθνικό Αρχείο Διδακτορικών Διατριβών.
ΧΡΗΣΤΕΣ
Αφορά στις μοναδικές επισκέψεις της διδακτορικής διατριβής.
Πηγή: Εθνικό Αρχείο Διδακτορικών Διατριβών.