ΜΕΛΕΤΗ ΑΤΕΛΕΙΩΝ ΣΕ ΗΜΙΑΓΩΓΟΥΣ ΤΗΣ ΟΙΚΟΓΕΝΕΙΑΣ ΤΟΥ ALXGA1-XAS

Abstract

IN THE THESIS THE AL0.30G0.70AS COMPOUND SEMICONDUCTOR IS STUDIED. AIM OF THE STUDY IS THE INVESTIGATION OF A POSSIBLE FIELD EFFECT ON THE DX:SI CENTRE'S ACTIVATION ENERGY AS WELL AS THE TRACING AND IDENTIFICATION OF OTHER DEFECTS. METHODS OF ELECTRICAL CHARACTERIZATION OF THE DEFECTS ARE USED AND ESPECIALLY DEEP LEVEL TRANSIENT SPECTROSCOPY (DLTS). THE SAMPLES ARE AU/AL0.3GA0.7AS SCHOTTKY DIODES GROWN BY MOCVD. FROM THE ANALYSIS IT IS CLEAR THAT THE DX:SI CENTRE'S ACTIVATION ENERGY REMAINS PRACTICALLY INDEPENDENT OF ANY POOLE-FRENKEL TYPE FIELD EFFECT. THE DLTS SPECTRA REVEALED ALSO THE EXISTENCE OF A NEW TRAP ONLY AFTER COOLING THE SAMPLES UNDER REVERSE BIAS. THE ACTIVATION ENERGY OF THIS TRAP HAS A MEAN VALUE OF 0.22 EV AND IT IS FIELD DEPENDENT.

ΣΤΗ ΔΙΑΤΡΙΒΗ ΜΕΛΕΤΩΝΤΑΙ ΑΤΕΛΕΙΕΣ ΣΤΟΝ ΤΡΙΑΔΙΚΟ ΗΜΙΑΓΩΓΟ ALXGA1-XAS (X00.30). ΣΚΟΠΟΣ ΤΗΣ ΜΕΛΕΤΗΣ ΕΙΝΑΙ Η ΔΙΑΚΡΙΒΩΣΗ ΤΗΣ ΕΠΙΔΡΑΣΗΣ ΤΟΥ ΗΛΕΚΤΡΙΚΟΥ ΠΕΔΙΟΥ ΣΤΗΝ ΕΝΕΡΓΕΙΑ ΕΝΕΡΓΟΠΟΙΗΣΗΣ ΤΟΥ ΚΕΝΤΡΟΥ DX ΚΑΘΩΣ ΚΑΙ Η ΑΝΙΧΝΕΥΣΗ ΚΑΙ ΤΑΥΤΟΠΟΙΗΣΗ ΠΙΘΑΝΩΝ ΑΛΛΩΝ ΑΤΕΛΕΙΩΝ. Η ΜΕΛΕΤΗ ΓΙΝΕΤΑΙ ΜΕ ΜΕΘΟΔΟΥΣ ΗΛΕΚΤΡΙΚΟΥ ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΜΟΥ ΑΤΕΛΕΙΩΝ ΚΑΙ ΚΥΡΙΩΣ ΜΕ ΤΗ ΦΑΣΜΑΤΟΣΚΟΠΙΑ ΒΑΘΕΩΝ ΠΑΓΙΔΩΝ (DLTS). ΤΑ ΜΕΛΕΤΩΜΕΝΑ ΔΕΙΓΜΑΤΑ ΕΙΝΑΙ ΔΙΟΔΟΙ SCHOTTKY AU /ALGAAS ΚΑΙ ΕΧΟΥΝ ΑΝΑΠΤΥΧΘΕΙ ΜΕ ΤΗ ΜΕΘΟΔΟ MOCVD. ΑΠΟ ΤΑ ΑΠΟΤΕΛΕΣΜΑΤΑ ΤΩΝ ΜΕΤΡΗΣΕΩΝ ΠΡΟΚΥΠΤΕΙ ΟΤΙ Η ΕΝΕΡΓΕΙΑ ΕΝΕΡΓΟΠΟΙΗΣΗΣΤΟΥ ΚΕΝΤΡΟΥ DX ΔΕΝ ΕΞΑΡΤΑΤΑΙ ΑΠΟ ΤΟ ΜΕΤΡΟ ΤΗΣ ΕΝΤΑΣΗΣ ΤΟΥ ΗΛΕΚΤΡΙΚΟΥ ΠΕΔΙΟΥ ΜΕ ΦΑΙΝΟΜΕΝΟ ΤΥΠΟΥ POOLE-FRENKEL. ΕΠΙ ΠΛΕΟΝ ΑΝΙΧΝΕΥΘΗΚΕ ΜΙΑ ΝΕΑ ΑΤΕΛΕΙΑ Η ΟΠΟΙΑ ΕΜΦΑΝΙΖΕΤΑΙ ΣΤΑ ΦΑΣΜΑΤΑ DLTS ΜΟΝΟ ΚΑΤΑ ΤΗΝ ΨΥΞΗ ΤΟΥ ΔΕΙΓΜΑΤΟΣ ΥΠΟ ΑΝΑΣΤΡΟΦΗ ΠΟΛΩΣΗ. Η ΕΝΕΡΓΕΙΑ ΕΝΕΡΓΟΠΟΙΗΣΗΣ ΤΗΣ ΑΤΕΛΕΙΑΣ ΑΥΤΗΣ ΕΙΝΑΙ 0.22 EV ΚΑΙ ΕΠΗΡΕΑΖΕΤΑΙ ΑΠΟ ΤΟ ΗΛΕΚΤΡΙΚΟ ΠΕΔΙΟ.