Σχεδιασμός, κατασκευή, χαρακτηρισμός και προσομοίωση διόδων BBD πυριτίου του τύπου p+-n-p

Περίληψη

Οι δίοδοι ‘Bulk - Barrier’ (BBD) είναι διατάξεις τριών στρωμάτων, όμοιες με τα αμφιπολικά τρανζίστορ επαφών. Μπορούν να υλοποιηθούν με τη χρήση δομών του τύπου p+-n-p ή n+-p-n. Η ουσιαστική διαφορά προς τα αμφιπολικά τρανζίστορ επαφών, έγκειται στο μεταλλουργικό εύρος της μεσαίας περιοχής (βάσης), το οποίο κατασκευάζεται τόσο μικρό, ώστε ακόμη και σε μηδενική τάση πόλωσης οι περιοχές φορτίων χώρου των δύο επαφών, μέσα στο μεσαίο στρώμα, να επικαλύπτονται. Έτσι, το μεσαίο στρώμα παραμένει κενωμένο από ελεύθερους φορείς, ακόμη και στη μηδενική πόλωση (κατάσταση θερμικής ισορροπίας). Αυτό οδηγεί, στη δημιουργία ενός φράγματος δυναμικού μέσα στη μεσαία περιοχή, το οποίο ελέγχει εκθετικά την ένταση του ρεύματος διαμέσου της διάταξης. Το ύψος του φράγματος δυναμικού μπορεί να ρυθμιστεί τόσο από τις τεχνολογικές παραμέτρους κατασκευής των διατάξεων, όσο και από την εφαρμοζόμενη τάση πόλωσης. Η ιδιότητα αυτή σε συνδυασμό με το γεγονός ότι οι δίοδοι BBD είναι διατάξεις φορέων πλειοψηφίας, καθισ ...
περισσότερα

Περίληψη σε άλλη γλώσσα

Bulk- Barrier Diodes (BBDs) are two - terminal three-layer structures similar to Bipolar Junction Transistors (BJT’s) of p+-n-p or n+-p-n type structures. However, contrary to the BJT’s, the middle (base) region in BBDs is so thin that it is normally fully depleted from free carriers, and also there exist no neutral region even for zero bias conditions (thermal equilibrium). As a result, a potential barrier is located inside the semiconductor. This potential barrier controls exponentially the current through the device. The potential barrier height can be controlled by well controllable technological parameters, such as dopant concentration and middle layer width, as well as by the applied bias voltage. This advantage and the fact that Bulk Barrier Diodes are majority carrier devices make them very attractive in many applications such as in high-speed applications or as photodiodes with high internal gain. So far, there are several published works, dealing with some very interesting ap ...
περισσότερα
Πρέπει να είστε εγγεγραμένος χρήστης για έχετε πρόσβαση σε όλες τις υπηρεσίες του ΕΑΔΔ  Είσοδος /Εγγραφή

Όλα τα τεκμήρια στο ΕΑΔΔ προστατεύονται από πνευματικά δικαιώματα.

DOI
10.12681/eadd/17427
Διεύθυνση Handle
http://hdl.handle.net/10442/hedi/17427
ND
17427
Εναλλακτικός τίτλος
Design, fabrication, characterization and simulation of silicon p+-n-p type BBD diodes
Συγγραφέας
Παπαδοπούλου, Παναγιώτα Δημήτριος
Ημερομηνία
2002
Ίδρυμα
Δημοκρίτειο Πανεπιστήμιο Θράκης (ΔΠΘ). Σχολή Πολυτεχνική. Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών. Τομέας Ηλεκτρονικής και Τεχνολογίας Συστημάτων Πληροφορικής. Εργαστήριο Τεχνολογίας Ηλεκτροτεχνικών και Ηλεκτρονικών Υλικών
Εξεταστική επιτροπή
Γεωργουλάς Νικόλαος
Θαναηλάκης Αντώνιος
Αβαριτσιώτης Ιωάννης
Τσαλίδης Φίλιππος
Δημητριάδης Χαράλαμπος
Καραφυλλίδης Ιωάννης
Γκιργκινούδη Δήμητρα
Επιστημονικό πεδίο
Μηχανική & Τεχνολογία
Επιστήμες Ηλεκτρολόγου Μηχανικού, Ηλεκτρονικού Μηχανικού & Μηχανικού Η/Υ
Λέξεις-κλειδιά
Δίοδοι πυριτίου Bulk - Barrier; dc ηλεκτρική συμπεριφορά; Μεταβατική συμπεριφορά; Διατάξεις φορέων μειοψηφίας; Οπτοηλεκτρονικές διατάξεις; Διατάξεις με υψηλό εσωτερικό κέρδος; Διατάξεις με μηχανισμό ενίσχυσης φωτορεύματος; Προσομοίωση διατάξεων
Χώρα
Ελλάδα
Γλώσσα
Ελληνικά
Άλλα στοιχεία
149 σ., εικ.