Μελέτη διεπιφανειών μετάλλου / ανθρακοπυριτίου με επιφανειακά ευαίσθητες τεχνικές

Περίληψη

Οι μονοκρύσταλλοι ανθρακοπυριτίου (SiC) παρουσιάζουν μεγάλο ενδιαφέρον χάρις στις ποικίλες εφαρμογές τους, κυρίως σε μικροηλεκτρονικές διατάξεις υψηλών θερμοκρασιών. Ιδιαίτερα σημαντικό ρόλο στη δημιουργία τέτοιων διατάξεων έχουν οι επαφές μετάλλου/ανθρακοπυριτίου, σε σχέση με την ηλεκτρική συμπεριφορά (φράγμα Schottky) και τη σταθερότητά τους στη θέρμανση. Στο πλαίσιο της παρούσας εργασίας μελετήθηκαν τα πρώιμα στάδια ανάπτυξης της διεπιφάνειας μετάλλου/SiC σε περιβάλλον υπερυψηλού κενού (UHV) και θερμοκρασία δωματίου καθώς και η σταθερότητα της επαφής κατά τη θέρμανση σε υψηλές θερμοκρασίες. Αναπτύχθηκαν υπέρλεπτα μεταλλικά υμένια Re, Er και Cu πάνω και στις δύο πολικές επιφάνειες (Si-face ή (0001) και C-face ή (000-1)) των μονοκρυστάλλων εξαγωνικού ανθρακοπυριτίου (6H-SiC) τύπου-n που χρησιμοποιήθηκαν ως υπόστρωμα. Οι επαφές αυτές στη συνέχεια θερμαίνονταν μέχρι τους 1000Κ. Η μελέτη έγινε με επιφανειακά ευαίσθητες τεχνικές, όπως οι Φασματοσκοπίες Φωτοηλεκτρονίων και Ηλεκτρονίων Auge ...
περισσότερα

Περίληψη σε άλλη γλώσσα

Silicon carbide (SiC) single crystals are very important for numerous high temperature microelectronic devices. Industrial production of such devices takes advantage of the superior properties that metal/SiC contacts can achieve, like the electrical behavior (Schottky barrier) and their thermal stability. In the present work, we studied the early stages of metal/SiC interface formation in UHV conditions and at room temperature. Additionally, we studied the stability of the contacts at high temperature conditions. For this purpose, we developed ultrathin metallic films of Re, Er and Cu on both polar surfaces (Si-face or (0001) and C-face or (000-1)) of n-type hexagonal single crystal 6H-SiC. The resulting contacts were heated afterwards up to 1000K. Surface sensitive techniques were used for data collection, such as X-ray Photoelectron and Auger Electron Spectroscopy (XPS/XAES), Ultraviolet Photoelectron Spectroscopy (UPS), Low Energy Electron Diffraction (LEED) and Work Function (WF) m ...
περισσότερα
Πρέπει να είστε εγγεγραμένος χρήστης για έχετε πρόσβαση σε όλες τις υπηρεσίες του ΕΑΔΔ  Είσοδος /Εγγραφή

Όλα τα τεκμήρια στο ΕΑΔΔ προστατεύονται από πνευματικά δικαιώματα.

DOI
10.12681/eadd/14236
Διεύθυνση Handle
http://hdl.handle.net/10442/hedi/14236
Εναλλακτικός τίτλος
Study of metal / silicon carbide interfaces with surface sensitive techniques
Συγγραφέας
Δοντάς, Ιωάννης Θεοφάνης
Ημερομηνία
2003
Ίδρυμα
Πανεπιστήμιο Πατρών. Σχολή Πολυτεχνική. Τμήμα Χημικών Μηχανικών
Εξεταστική επιτροπή
Λαδάς Σπυρίδων
Κεννού Στυλιανή
Νικολόπουλος Παναγιώτης
Γιαννούλης Παναγιώτης
Καμαράτος Ματθαίος
Κουρής Στυλιανός
Κουτσούκος Πέτρος
Επιστημονικό πεδίο
Μηχανική & Τεχνολογία
Επιστήμες Χημικού Μηχανικού
Λέξεις-κλειδιά
Διεπιφάνειες; Ανθρακοπυρίτιο; Λεπτά υμένια; Φράγμα Schottky; Πυριτίδιο
Χώρα
Ελλάδα
Γλώσσα
Ελληνικά
Άλλα στοιχεία
ix, 285 σ., εικ.