ΜΕΛΕΤΗ ΤΩΝ ΟΠΤΙΚΩΝ ΙΔΙΟΤΗΤΩΝ ΚΡΥΣΤΑΛΛΙΚΩΝ (SIC, GAN) ΚΑΙ ΑΜΟΡΦΩΝ (SIN) ΥΛΙΚΩΝ ΕΥΡΕΩΣ ΕΝΕΡΓΕΙΑΚΟΥ ΧΑΣΜΑΤΟΣ

Περίληψη

ΤΟ ΑΝΤΙΚΕΙΜΕΝΟ ΤΗΣ ΔΙΑΤΡΙΒΗΣ ΕΙΝΑΙ Η ΜΕΛΕΤΗ ΤΩΝ ΟΠΤΙΚΩΝ ΙΔΙΟΤΗΤΩΝ ΤΩΝ ΚΥΒΙΚΩΝ ΚΑΙ ΕΞΑΓΩΝΙΚΩΝ ΠΟΛΥΤΥΠΩΝ ΤΩΝ ΚΡΥΣΤΑΛΛΙΚΩΝ ΗΜΙΑΓΩΓΩΝ ΕΥΡΕΩΣ ΧΑΣΜΑΤΟΣ SIC ΚΑΙ GAN ΚΑΘΩΣ ΚΑΙ ΑΜΟΡΦΩΝ ΜΟΝΩΤΙΚΩΝ ΥΜΕΝΙΩΝ SIN ΠΑΡΑΣΚΕΥΑΣΜΕΝΩΝ ΜΕ ΔΙΑΦΟΡΕΣ ΤΕΧΝΙΚΕΣ ΜΕ ΠΑΡΑΜΕΤΡΟ ΤΗ ΘΕΡΜΟΚΡΑΣΙΑ. Η ΠΕΙΡΑΜΑΤΙΚΗ ΤΕΧΝΙΚΗ ΠΟΥ ΧΡΗΣΙΜΟΠΟΙΕΙΤΑΙ ΕΙΝΑΙ Η ΦΑΣΜΑΤΟΣΚΟΠΙΚΗ ΕΛΛΕΙΨΟΜΕΤΡΙΑ ΣΤΗΝ ΕΝΕΡΓΕΙΑΚΗ ΠΕΡΙΟΧΗ 1.5 - 10 EV ΜΕ ΧΡΗΣΗ ΑΚΤΙΝΟΒΟΛΙΑΣ ΣΥΓΧΡΟΤΡΟΝ ΚΑΙ ΣΥΜΒΑΤΙΚΩΝ ΛΥΧΝΙΩΝ ΩΣ ΠΗΓΩΝ ΦΩΤΟΣ. ΠΡΟΣΔΙΟΡΙΖΟΝΤΑΙ ΟΙ ΠΑΡΑΜΕΤΡΟΙ ΤΩΝ ΟΠΤΙΚΩΝ ΧΑΣΜΑΤΩΝ ΤΩΝ SIC ΚΑΙ GAN ΩΣ ΠΡΟΣ ΤΗ ΘΕΡΜΟΚΡΑΣΙΑ ΚΑΙ ΣΥΣΧΕΤΙΖΟΝΤΑΙ ΜΕ ΔΕΔΟΜΕΝΑ ΓΙΑ ΤΗΝ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΟΜΗ ΤΩΝ ΥΛΙΚΩΝ ΚΑΙ ΤΑ ΣΗΜΕΙΑ ΣΥΜΜΕΤΡΙΑΣ ΤΩΝ ΑΝΤΙΣΤΟΙΧΩΝ ΖΩΝΩΝ BRILLOUIN. ΤΑ ΠΕΙΡΑΜΑΤΙΚΑ ΑΠΟΤΕΛΕΣΜΑΤΑ ΓΙΑΤΑ ΚΥΒΙΚΑ ΚΑΙ ΕΞΑΓΩΝΙΚΑ ΠΟΛΥΤΥΠΑ ΤΩΝ SIC ΚΑΙ GAN ΣΥΣΧΕΤΙΖΟΝΤΑΙ ΜΕ ΑΥΤΑ ΑΛΛΩΝ ΥΛΙΚΩΝ ΠΟΥ ΕΜΦΑΝΙΖΟΥΝ ΑΝΤΙΣΤΟΙΧΟ ΠΟΛΥΤΥΠΙΣΜΟ ΚΑΙ ΣΥΓΚΡΙΝΟΝΤΑΙ ΜΕΤΑΞΥ ΤΟΥΣ. ΔΙΑΠΙΣΤΩΝΕΤΑΙ ΟΙ ΚΟΙΝΗ ΠΡΟΕΛΕΥΣΗ ΣΥΓΚΕΚΡΙΜΕΝΩΝ ΧΑΣΜΑΤΩΝ ΤΩΝ ΠΟΛΥΤΥΠΩΝ ΚΑΙ ΕΠΙΒΕΒΑΙΩΝΟΝΤΑΙ ΟΙ ΘΕΩΡΗΤΙΚΕΣ ΠΡΟΒΛΕΨΕΙΣ. ΣΤΗΝ ΠΕΡΙΠΤΩΣΗ Τ ...
περισσότερα

Περίληψη σε άλλη γλώσσα

THE TOPIC OF THIS THESIS IS THE STUDY OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE CUBIC AND HEXAGONAL POLYTYPES OF THE CRYSTALLINE WIDE BAND - GAP SEMICONDUCTORS SIC AND GAN, AS WELL AS AMORPHOUS INSULATING SIN THIN FILMS GROWN WITH VARIOUS TECHNIQUES AS A FUNCTION OF TEMPERATURE. THE EXPERIMENTAL TECHNIQUE APPLIED IS SPECTROSCOPIC ELLIPSOMETRY IN THE ENERGY REGION 1.5 - 10 EV USING SYNCHROTRON RADIATION AND CONVENTIONAL LAMPS AS LIGHT SOURCES. THE PARAMETERS OF THE OPTICAL GAPS OF SIC AND GAN ARE DETERMINED AGAINST TEMPERATURE AND CORRELATED WITHDATA ON THE ELECTRONIC STRUCTURE OF THE MATERIALS AND THE RESPECTIVE BRILLOUIN ZONES. THE EXPERIMENTAL RESULTS ON THE CUBIC AND HEXAGONAL POLYTYPES OF SIC AND GAN AND COMPARED TO THOSE ON MATERIALS EXHIBITING SIMILAR POLYTYPISM AND CORRELATED. THE COMMON ORIGIN OF SPECIFIC GAPS IS VERIFIED AND SEVERAL THEORETICAL PREDICTIONS ARE CONFIRMED. IN THE CASE OF THE AMORPHOUS SIN FILMS THEIRCHARACTERIZATION IS ATTEMPTED BY EXPLOITING THEIR OPT ...
περισσότερα
Πρέπει να είστε εγγεγραμένος χρήστης για έχετε πρόσβαση σε όλες τις υπηρεσίες του ΕΑΔΔ  Είσοδος /Εγγραφή

Όλα τα τεκμήρια στο ΕΑΔΔ προστατεύονται από πνευματικά δικαιώματα.

DOI
10.12681/eadd/8997
Διεύθυνση Handle
http://hdl.handle.net/10442/hedi/8997
Εναλλακτικός τίτλος
STUDY OF THE OPTICAL PROPERTIES OF CRYSTALLINE (SIC, GAN) AND AMORPHOUS (SIN) WIDE BAND - GAP MATERIALS
Συγγραφέας
ΠΕΤΑΛΑΣ, ΙΩΑΝΝΗΣ
Ημερομηνία
1995
Ίδρυμα
Αριστοτέλειο Πανεπιστήμιο Θεσσαλονίκης (ΑΠΘ). Σχολή Θετικών Επιστημών. Τμήμα Φυσικής
Εξεταστική επιτροπή
ΛΟΓΟΘΕΤΙΔΗΣ ΣΤΕΡΓΙΟΣ
ΒΕΣ ΣΩΤΗΡΙΟΣ
ΠΟΛΑΤΟΓΛΟΥ ΧΑΡΙΤΩΝ
ΣΠΥΡΙΔΕΛΗΣ ΙΩΑΝΝΗΣ
ΣΤΟΙΜΕΝΟΣ ΙΩΑΝΝΗΣ
ΘΕΟΔΩΡΟΥ ΓΕΩΡΓΙΟΣ
ΣΙΑΠΚΑΣ ΔΗΜΗΤΡΙΟΣ
Επιστημονικό πεδίο
Φυσικές Επιστήμες
Φυσική
Λέξεις-κλειδιά
Ακτινοβολία συγχρότρου; Άμορφα υλικά; Διηλεκτρική συνάρτηση; Ελλειψομετρία; Ημιαγωγοί; ΚΡΥΣΤΑΛΛΙΚΑ ΥΛΙΚΑ; Μονωτές
Χώρα
Ελλάδα
Γλώσσα
Ελληνικά