ΥΨΗΛΗΣ ΤΑΧΥΤΗΤΑΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΑΝΑΓΝΩΣΗΣ ΑΝΙΧΝΕΥΤΩΝ ΣΕ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑ VLSI CMOS

Περίληψη

ΤΑ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ ΑΝΑΓΝΩΣΗΣ ΠΑΡΟΥΣΙΑΖΟΥΝ ΜΙΑ ΜΕΓΑΛΗ ΑΝΑΠΤΥΞΗ ΤΗΝ ΤΕΛΕΥΤΑΙΑ ΔΕΚΑΕΤΙΑ ΚΑΘΩΣ Η ΔΥΝΑΤΟΤΗΤΑ ΜΟΝΟΛΙΘΙΚΗΣ ΥΛΟΠΟΙΗΣΗΣ ΤΟΥΣ ΕΠΕΤΡΕΨΕ ΤΗΝ ΕΝΣΩΜΑΤΩΣΗ ΤΟΥΣ ΣΕ ΠΟΛΛΕΣ ΚΑΙ ΠΟΙΚΙΛΕΣ ΕΦΑΡΜΟΓΕΣ. ΚΑΘΟΡΙΣΤΙΚΟ ΡΟΛΟ ΕΠΑΙΞΕ Η ΑΝΑΠΤΥΞΗ ΤΗΣ CMOS ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΠΟΛΥ ΜΕΓΑΛΗΣ ΚΛΙΜΑΚΑΣ ΟΛΟΚΛΗΡΩΣΗΣ (VERY LARGE SCALE INTEGRATION) Η ΟΠΟΙΑ ΠΡΟΣΕΦΕΡΕ ΕΝΕΡΓΑ ΣΤΟΙΧΕΙΑ ΜΕ ΚΑΛΕΣ ΕΠΙΔΟΣΕΙΣ, ΜΕΓΑΛΗ ΣΤΑΘΕΡΟΤΗΤΑ ΚΑΙ ΕΠΑΝΑΛΗΨΙΜΟΤΗΤΑ ΚΑΘΩΣ ΚΑΙ ΜΙΚΡΟ ΚΟΣΤΟΣ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗΣ. Η ΔΥΝΑΤΟΤΗΤΑ ΕΝΣΩΜΑΤΩΣΗΣ ΑΝΑΛΟΓΙΚΩΝ ΚΑΙ ΨΗΦΙΑΚΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ ΣΤΗΝ ΙΔΙΑ ΨΗΦΙΔΑ ΠΥΡΙΤΙΟΥ (MIXEDANALOG DIGITAL CHIPS), ΑΝΟΙΞΕ ΤΟ ΔΡΟΜΟ ΓΙΑ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΑ ΣΥΣΤΗΜΑΤΑ ΜΕΤΡΗΣΗΣ, ΚΑΤΑΓΡΑΦΗΣ ΚΑΙ ΕΠΕΞΕΡΓΑΣΙΑΣ ΤΟΥ ΣΗΜΑΤΟΣ (SYSTEM ON A CHIP). ΟΙ ΕΦΑΡΜΟΓΕΣ ΚΑΛΥΠΤΟΥΝ ΜΕΓΑΛΟ ΠΕΔΙΟ ΔΡΑΣΤΗΡΙΟΤΗΤΩΝ ΚΑΙ ΕΚΤΕΙΝΟΝΤΑΙ ΑΠΟ ΤΟΥΣ ΠΑΡΑΔΟΣΙΑΚΑ ΕΠΙΣΤΗΜΟΝΙΚΟΥΣ ΤΟΜΕΙΣ ΕΩΣ ΕΜΠΟΡΙΚΕΣ ΕΦΑΡΜΟΓΕΣ ΚΑΘΗΜΕΡΙΝΗΣ ΧΡΗΣΗΣ. ΕΝΔΕΙΚΤΙΚΑ ΑΝΑΦΕΡΟΝΤΑΙ: ΠΕΙΡΑΜΑΤΙΚΕΣ ΔΙΑΤΑΞΕΙΣ ΦΥΣΙΚΗΣ ΥΨΗΛΩΝ ΕΝΕΡΓΕΙΩΝ: ΣΤΙΣ ΕΦΑΡΜΟΓΕΣ ΑΥΤΕΣ ΕΠΙΔΙΩΚΕΤΑΙ Η ΑΝΙΧΝΕΥΣΗ ΤΩΝ ΠΑΡΑΓΟΜΕΝΩΝ ΣΩΜΑΤΙΔΙΩΝ ΑΠΟ ΜΙΑ ...
περισσότερα

Περίληψη σε άλλη γλώσσα

WITH THE ADVENT OF MICROELECTRONICS AND THE WIDESPREAD USE OF MICROSTRIP SILICON DETECTORS IN THE EXPERIMENTS OF HIGH ENERGY PHYSICS AND IN X - RAY IMAGING, A CONSIDERABLE AMOUNT OF WORK HAS BEEN INVESTED INTO DEVELOPING MULTICHANNEL VLSI READOUT ELECTRONICS. IN SEMICONDUCTOR AND GAS CHAMBER DETECTORS THE IONIZATION CHARGE COMES AS A FAST CURRENT PULSE WHOSE AMPLITUDE DROPS BY MORE THAN 90% OF ITS INITIAL VALUE IN LESS THAN 15NS. THE MAJORITY OF THE READOUT CHIPS USE A CHARGE SENSITIVE AMPLIFIER FOLLOWED BY A PULSE SHAPING NETWORK (USUALLY A CR - RC FILTER). THE CHARGE SENSITIVE CONFIGURATION EXHIBITS HIGH STABILITY AND LOW NOISE LEVELS. HOWEVER, IT IS CHARACTERIZED BY A LONG, RELATIVE TOTHE CHARGE COLLECTION TIME, DISCHARGE TIME OF THE INPUT STAGE FEEDBACK. THIS IMPOSES THE USE OF A POLE - ZERO CANCELLATION NETWORK TO FILTER THE LONG SIGNAL TAIL DUE TO FEEDBACK NETWORK DECAY. POLE - ZERO CANCELLATION SHOULD BE EXACT AND IT IS ONLY ACHIEVED BY AN OFF - CHIP POTENTIO ...
περισσότερα
Πρέπει να είστε εγγεγραμένος χρήστης για έχετε πρόσβαση σε όλες τις υπηρεσίες του ΕΑΔΔ  Είσοδος /Εγγραφή

Όλα τα τεκμήρια στο ΕΑΔΔ προστατεύονται από πνευματικά δικαιώματα.

DOI
10.12681/eadd/8860
Διεύθυνση Handle
http://hdl.handle.net/10442/hedi/8860
Εναλλακτικός τίτλος
HIGH SPEED VLSI CMOS DETECTOR READOUT ELECTRONICS
Συγγραφέας
ΧΑΡΑΛΑΜΠΙΔΗΣ, ΝΙΚΟΛΑΟΣ
Ημερομηνία
1997
Ίδρυμα
Εθνικό Μετσόβιο Πολυτεχνείο (ΕΜΠ). Τμήμα Γενικό
Εξεταστική επιτροπή
ΔΡΗΣ ΕΜΜΑΝΟΥΗΛ
ΑΒΑΡΙΤΣΙΩΤΗΣ ΙΩΑΝΝΗΣ
ΑΝΑΣΤΑΣΑΚΗΣ ΕΥΑΓΓΕΛΟΣ
ΓΚΟΥΤΗΣ ΚΩΝΣΤΑΝΤΙΝΟΣ
ΓΑΖΗΣ ΕΥΑΓΓΕΛΟΣ
ΑΡΑΠΟΓΙΑΝΝΗ ΑΓΓΕΛΙΚΗ
ΡΑΠΤΗΣ ΙΩΑΝΝΗΣ
Επιστημονικό πεδίο
Μηχανική & Τεχνολογία
Λέξεις-κλειδιά
ΕΝΙΣΧΥΤΕΣ ΕΥΡΕΙΑΣ ΖΩΝΗΣ; Ηλεκτρονικά ανάγνωσης ανιχνευτών; ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΥΨΗΛΗΣ ΤΑΧΥΤΗΤΑΣ; ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΧΑΜΗΛΟΥ ΘΟΡΥΒΟΥ; ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ ΧΑΜΗΛΗΣ ΚΑΤΑΝΑΛΩΣΗΣ; Ολοκληρωμένα κυκλώματα
Χώρα
Ελλάδα
Γλώσσα
Ελληνικά