Διατάξεις μνήμης δισταθμικής αντίστασης με τροποποιημένες διεπιφάνειες ηλεκτροδίων

Περίληψη

Μελετήθηκε διεξοδικά ο σχεδιασμός, η υλοποίηση και ο χαρακτηρισμός διατάξεων μη-πτητικής μνήμης δισταθμικής αντίστασης (Resistive Random Access Memories – ReRAM) της με μεταβλητά ηλεκτρόδια για διάφορους τύπους μονωτικού υλικού. Ο τύπος των διατάξεων ReRAM που εξετάστηκαν είναι της δομής «μέταλλο- μονωτής – μέταλλο» (Metal – Insulator – Metal, MIM) και «μέταλλο – μονωτής – ημιαγωγός» (Metal – Insulator – Semiconductor, MIS). Συνολικά, εξετάστηκαν δυο διαφορετικές κατηγορίες διατάξεων με βάση τον τύπο του μονωτικού υλικού: 1) Διατάξεις μη-πτητικής μνήμης δισταθμικής αντίστασης με βάση το νιτρίδιο (νιτρίδιο του πυριτίου - Si3N4)ως μονωτικό υλικό για διάφορους τύπους μετάλλου ως πάνω και κάτω ηλεκτρόδιο. 2) Διατάξεις μη-πτητικής μνήμης δισταθμικής αντίστασης με βάση οξείδια (Οξείδιο του ταντάλου - TaOx, οξείδιο του χαφνίου – HfOx). Ο χαρακτηρισμός των διατάξεων συμπεριέλαβε: 1) Τον μορφολογικό / οπτικό χαρακτηρισμό των διατάξεων ώστε να εξεταστεί η επιφανειακή δομή των υλικών. Πιο συγκεκρ ...
περισσότερα

Περίληψη σε άλλη γλώσσα

Τhe design, implementation and characterization of Resistive Random Access Memories (ReRAM) devices with variable electrodes for various types of insulating material have been extensively studied. The structure of the ReRAM devices examined is Metal - Insulator - Metal (MIM) and Metal – Insulator – Semiconductor (MIS). Altogether, two different categories of devices were fabricated and examined according to the type of insulating material sandwiched between the two metal electrodes: 1) Non-volatile memory devices based on nitride (silicon nitride - Si3N4) as insulating material for various types of metal as top and bottom electrode. 2) Non-volatile memory devices with binary oxide materials (Tantalum Oxide - TaOx, Hafnium Oxide - HFOx), as insulating materials at the MIM structure. The characterization of the devices included: 1) The morphological / optical characterization of the devices to examine the surface topology of the materials. In particular, high resolution electron microsco ...
περισσότερα
Πρέπει να είστε εγγεγραμένος χρήστης για έχετε πρόσβαση σε όλες τις υπηρεσίες του ΕΑΔΔ  Είσοδος /Εγγραφή

Όλα τα τεκμήρια στο ΕΑΔΔ προστατεύονται από πνευματικά δικαιώματα.

Διεύθυνση Handle
http://hdl.handle.net/10442/hedi/46985
ND
46985
Εναλλακτικός τίτλος
Resistive random access memories (ReRAM) with modified electrodes
Συγγραφέας
Καρακόλης, Παναγιώτης Γεώργιος
Ημερομηνία
2020
Ίδρυμα
Πανεπιστήμιο Πατρών. Σχολή Θετικών Επιστημών. Τμήμα Φυσικής. Τομέας Φυσικής Συμπυκνωμένης Ύλης
Εξεταστική επιτροπή
Σκαρλάτος Δημήτριος
Δημητράκης Παναγιώτης
Παπαγγελής Κωνσταντίνος
Ψυχαλίνος Κωνσταντίνος
Λευθεριώτης Γεώργιος
Παλίλης Λεωνίδας
Συρακούλης Γεώργιος
Επιστημονικό πεδίο
Φυσικές Επιστήμες
Φυσική
Λέξεις-κλειδιά
Μη πτητικές μνήμες; Μνήμες δισταθμικής αντίστασης
Χώρα
Ελλάδα
Γλώσσα
Ελληνικά
Άλλα στοιχεία
233 σ., εικ., πιν., σχημ., γραφ.
Ειδικοί όροι χρήσης/διάθεσης
Το έργο παρέχεται υπό τους όρους της δημόσιας άδειας του νομικού προσώπου Creative Commons Corporation:Creative Commons Αναφορά Δημιουργού 3.0 Ελλάδα