EPITAXIE PAR JETS MOLECULAIRES DE (CA,SR)F2/GAAS ET DE GAAS/(CA,SR)F2 AVEC ACCORD DES MAILLES CRISTALLINES ENTRE LE DIELECTRIQUE ET LE SEMICONDUCTEUR
Πρέπει να είστε εγγεγραμένος χρήστης για έχετε πρόσβαση σε όλες τις υπηρεσίες του ΕΑΔΔ  Είσοδος /Εγγραφή

Όλα τα τεκμήρια στο ΕΑΔΔ προστατεύονται από πνευματικά δικαιώματα.

DOI
10.12681/eadd/4012
Διεύθυνση Handle
http://hdl.handle.net/10442/hedi/4012
Συγγραφέας
ΣΙΣΚΟΣ, ΣΤΥΛΙΑΝΟΣ
Ημερομηνία
1983
Ίδρυμα
France. Universite Paul - Sabatier. Toulouse III
Χώρα
Γαλλία
Γλώσσα
Αγγλικά