EPITAXIE PAR JETS MOLECULAIRES DE (CA,SR) F2 / GAAS ET DE GAAS / (CA,SR) F2 AVEC ACCORD DES MAILLES CRISTALLINES ENTRE LE DIELECTRIQUE ET LE SEMICONDUCTEUR

Όλα τα τεκμήρια στο ΕΑΔΔ προστατεύονται από πνευματικά δικαιώματα.

DOI
10.12681/eadd/4012
Διεύθυνση Handle
http://hdl.handle.net/10442/hedi/4012
ND
4012
Συγγραφέας
Σίσκος, Στυλιανός
Ημερομηνία
1983
Ίδρυμα
Universite Paul - Sabatier, Toulouse III
Εξεταστική επιτροπή
Renucci J.
Martinez A.
Jouffrey B.
Esteve D.
Kamarinos G.
Munoz-Yague A.
Χώρα
Γαλλία
Γλώσσα
Αγγλικά
Άλλα στοιχεία
-1
Στατιστικά χρήσης
ΠΡΟΒΟΛΕΣ
Αφορά στις μοναδικές επισκέψεις της διδακτορικής διατριβής για την χρονική περίοδο 07/2018 - 07/2023.
Πηγή: Google Analytics.
ΞΕΦΥΛΛΙΣΜΑΤΑ
Αφορά στο άνοιγμα του online αναγνώστη για την χρονική περίοδο 07/2018 - 07/2023.
Πηγή: Google Analytics.
ΜΕΤΑΦΟΡΤΩΣΕΙΣ
Αφορά στο σύνολο των μεταφορτώσων του αρχείου της διδακτορικής διατριβής.
Πηγή: Εθνικό Αρχείο Διδακτορικών Διατριβών.
ΧΡΗΣΤΕΣ
Αφορά στους συνδεδεμένους στο σύστημα χρήστες οι οποίοι έχουν αλληλεπιδράσει με τη διδακτορική διατριβή. Ως επί το πλείστον, αφορά τις μεταφορτώσεις.
Πηγή: Εθνικό Αρχείο Διδακτορικών Διατριβών.
Σχετικές εγγραφές (με βάση τις επισκέψεις των χρηστών)