Η ΑΝΤΙΣΤΑΣΗ, Η ΜΑΓΝΗΤΟΑΝΤΙΣΤΑΣΗ ΑΣΘΕΝΟΥΣ ΠΕΔΙΟΥ ΚΑΙ ΤΟ ΦΑΙΝΟΜΕΝΟ ΤΗΣ ΕΛΙΚΩΣΗΣ ΣΤΟΥΣ ΡΟΜΒΙΚΟΥΣ ΚΡΥΣΤΑΛΛΟΥΣ ΚΑΙ ΜΕΛΕΤΗ ΣΤΟ GES

Abstract

ΕΓΙΝΕ ΣΥΣΤΗΜΑΤΙΚΗ ΜΕΛΕΤΗ ΤΗΣ ΕΛΙΚΩΣΗΣ ΤΗΣ ΜΑΓΝΗΤΟΑΝΤΙΣΤΑΣΗΣ ΣΤΟΥΣ ΡΟΜΒΙΚΟΥΣ ΚΡΥΣΤΑΛΛΟΥΣ. Η ΜΕΛΕΤΗ ΕΔΕΙΞΕ ΟΤΙ ΥΠΑΡΧΕΙ ΑΝΤΑΓΩΝΙΣΜΟΣ ΜΕΤΑΞΥ ΤΗΣ ΦΥΣΙΚΗΣ (ΚΡΥΣΤΑΛΛΙΚΗΣ) ΗΛΕΚΤΡΙΚΗΣ ΑΝΙΣΟΤΡΟΠΙΑΣ ΚΑΙ ΤΗΣ ΑΝΙΣΟΤΡΟΠΙΑΣ ΠΟΥ ΕΠΙΒΑΛΛΕΤΑΙ ΑΠΟ ΤΟ ΜΑΓΝΗΤΙΚΟ ΠΕΔΙΟ. Η ΤΕΛΙΚΗ ΣΥΜΠΕΡΙΦΟΡΑ ΚΑΘΟΡΙΖΕΤΑΙ ΑΠΟ ΤΟ ΜΑΓΝΗΤΙΚΟ ΠΕΔΙΟ ΓΙΑ ΤΟ ΟΠΟΙΟ ΥΠΑΡΧΕΙ ΜΙΑ ΚΡΙΣΙΜΗ ΤΙΜΗ ΠΟΥ ΕΞΑΡΤΑΤΑΙ ΑΠΟ ΣΤΟΙΧΕΙΑ ΤΟΥ ΤΑΝΥΣΤΗ ΑΝΤΙΣΤΑΣΗΣ. ΕΞΕΤΑΣΘΗΚΕ Η ΗΛΕΚΤΡΙΚΗ ΑΓΩΓΙΜΟΤΗΤΑ ΜΟΝΟΚΡΥΣΤΑΛΛΙΚΟΥ GES ΣΤΗΝ ΠΕΡΙΟΧΗ ΘΕΡΜΟΚΡΑΣΙΩΝ 340-140 Κ ΣΕ ΣΥΝΔΥΑΣΜΟ ΜΕ ΤΙΣ ΕΚΤΕΤΑΜΕΝΕΣ ΑΤΕΛΕΙΕΣ ΔΟΜΗΣ ΠΟΥ ΠΑΡΟΥΣΙΑΖΕΙ. ΤΑ ΑΠΟΤΕΛΕΣΜΑΤΑ ΕΔΕΙΞΑΝ ΟΤΙ, Η ΑΓΩΓΙΜΟΤΗΤΑ ΠΑΡΑΛΛΗΛΑ ΣΤΟΝ ΑΞΟΝΑ C ΕΠΗΡΕΑΖΕΤΑΙ ΑΠΟ ΤΙΣ ΕΞΑΡΜΟΣΕΙΣ ΠΟΥ ΥΠΑΡΧΟΥΝ ΣΤΟ ΕΠΙΠΕΔΟ (001) ΤΩΝ ΦΥΛΛΩΝ, ΕΞΑΙΤΙΑΣ ΤΩΝ ΤΟΙΧΩΜΑΤΩΝ ΤΩΝ ΔΙΔΥΜΙΩΝ. ΤΑ ΤΟΙΧΩΜΑΤΑ ΑΥΤΑ ΕΙΝΑΙ ΠΑΡΑΛΛΗΛΑ ΣΤΟ ΕΠΙΠΕΔΟ (110)ΚΑΙ ΕΝΕΡΓΟΥΝ ΩΣ ΦΡΑΓΜΑΤΑ ΔΥΝΑΜΙΚΟΥ ΓΙΑ ΤΟΥΣ ΦΟΡΕΙΣ (ΟΠΕΣ). ΜΕΛΕΤΗΘΗΚΕ Η ΓΑΛΒΑΝΟΜΑΓΝΗΤΙΚΗ ΣΥΜΠΕΡΙΦΟΡΑ ΜΟΝΟΚΡΥΣΤΑΛΛΙΚΩΝ GES ΣΤΗΝ ΠΕΡΙΟΧΗ ΘΕΡΜΟΚΡΑΣΙΩΝ 293-423 Κ. ΜΕΤΡΗΘΗΚΑΝ ΜΕ ΤΗΝ ΜΕΘΟΔΟ WASSSCHER Η ΑΝΤΙΣΤΑΣΗ ΜΗΔΕΝΙΚΟΥ ΠΕΔΙΟΥ ΚΑΙ Η ΜΑΓΝΗΤΟΑΝΤΙΣΤΑΣΗ ΚΑΤΑ ΜΗΚΟΣ ΤΩΝ ΑΞΟΝΩΝ A ΚΑΙ B ΚΑΘΩΣ ΚΑΙ Ο ΣΥΝΤΕΛΕΣΤΗΣ HALL. ΤΑ ΑΠΟΤΕΛΕΣΜΑΤΑ ΤΗΣ ΑΝΤΙΣΤΑΣΗΣ ΕΔΕΙΞΑΝ ΗΜΙΑΓΩΓΙΚΗ ΣΥΜΠΕΡΙΦΟΡΑ ΣΕ ΟΛΟ ΤΟ ΔΙΑΣΤΗΜΑ ΘΕΡΜΟΚΡΑΣΙΑΣ. Η ΜΑΓΝΗΤΟΑΝΤΙΣΤΑΣΗ ΓΙΝΕΤΑΙ ΑΡΝΗΤΙΚΗ ΜΕΤΑ ΤΟΥΣ 380 Κ ΠΕΡΙΠΟΥ, ΕΝΩ ΤΟΣΟ Η ΜΑΓΝΗΤΟΑΝΤΙΣΤΑΣΗ ΟΣΟ ΚΑΙ Ο ΣΥΝΤΕΛΕΣΤΗΣ HALL ΠΑΡΟΥΣΙΑΖΟΥΝ ΤΑΛΑΝΤΩΣΕΙΣ ΠΟΥ ΕΞΑΡΤΩΝΤΑΙ ΚΑΙ ΑΠΟ ΤΗ ΘΕΡΜΟΚΡΑΣΙΑ ΚΑΙ ΑΠΟ ΤΗΝ ΤΙΜΗ ΤΟΥ ΜΑΓΝΗΤΙΚΟΥ ΠΕΔΙΟΥ.

THE MAGNETORESISTANCE SKEWNESS EFFECT IN ORTHORHOMBIC CRYSTALS WAS STUDIED. THERESULTS SHOWED THAT THE NATURAL (CRYSTALLINE) ANISOTROPY AND THE ONE IMPOSED BY THE MAGNETIC FIELD ACT COMPATITIVELY. THE FINAL BEHAVIOUR IS DEFINED BY THEFIELD, FOR WHICH A CRITICAL VALUE EXISTS, DEPENDING ON THE MAGNETORESISTANCE TENSOR ELEMENTS. THE ELECTRICAL CONDUCTIVITY OF GES SINGLE CRYSTALS, IN THE TEMPERATURE RANGE 340-140 K IS EXAMINED IN CONNECTION WITH THE EXTENDED PLANAR DEFECTS PRESENT IN THE CRYSTALS. THE RESULTS HAVE SHOWN THAT THE CONDUCTIVITY PARALLEL TO THE C-AXIS IS AFFECTED BY THE SETS OF PARALLEL DISLOCATIONS WHICH LIE ON THE (001) LAYER PLANES AS WELL AS BY A SLIGHT STACKING DISORDER OF THELAYERS. ON THE OTHER HAND, THE (110) TWINS CREATE POTENTIAL BARRIERS WHICH PRODUCE A CONDUCTIVITY ANISOTROPY ON THE LAYER PLANES. THE GALVANOMAGNETIC BEHAVIOUR OF MONOCRYSTALLINE GES IN THE TEMPERATURE RANGE 293-423 K WAS STUDIED. THE ZERO-FIELD RESISTIVITY AND THE MAGNETORESISTANCE ALONG THE AXES A AND B WEREMEASURED USING THE WASSCHER METHOD. ALSO, THE HALL COEFFICIENT WAS MEASURED. THE RESULTS HAVE SHOWN A SEMICONDUCTING BEHAVIOUR OF THE MATERIAL, THE EXISTENCE OF NEGATIVE MAGNETORESISTANCE ABOVE 380 K AND A KIND OF RAPID OSCILLATION OF BOTH THE MAGNETORESISTANCE AND THE HALL COEFFICIENT, DEPENDING ON BOTH THE TEMPERATURE AND THE MAGNETIC FIELD.