Νέα υλικά για το διηλεκτρικό πύλης σε τρανζίστορ προηγμένης τεχνολογίας CMOS
Πρέπει να είστε εγγεγραμένος χρήστης για έχετε πρόσβαση σε όλες τις υπηρεσίες του ΕΑΔΔ  Είσοδος /Εγγραφή

Όλα τα τεκμήρια στο ΕΑΔΔ προστατεύονται από πνευματικά δικαιώματα.

Διεύθυνση Handle
http://hdl.handle.net/10442/hedi/16841
Εναλλακτικός τίτλος
New materials for the gate dielectric of advanced technology CMOS transistors
Συγγραφέας
Μαύρου, Γεωργία Δημήτριος
Ημερομηνία
2006
Ίδρυμα
Εθνικό Μετσόβιο Πολυτεχνείο (ΕΜΠ). Σχολή Εφαρμοσμένων Μαθηματικών και Φυσικών Επιστημών
Εξεταστική επιτροπή
Τσουκαλάς Δημήτριος
Δημούας Αθανάσιος
Ράπτης Ιωάννης
Πίσσης Πολύκαρπος
Λιαροκάπης Ευθύμιος
Θαναηλάκης Αντώνιος
Ευαγγέλου Βαγγέλης
Επιστημονικό πεδίο
Φυσικές Επιστήμες
Λέξεις-κλειδιά
Επιτάξια; Υλικά υψηλής διηλεκτρικής σταθεράς; Ευκινησία
Χώρα
Ελλάδα
Γλώσσα
Ελληνικά
Άλλα στοιχεία
151 σ., εικ.