Επιταξιακή ανάπτυξη με MBE οξειδίων μετάλλων υψηλής διηλεκτρικής σταθεράς πάνω σε πυρίτιο για εφαρμογές σε τεχνολογίες αιχμής
Πρέπει να είστε εγγεγραμένος χρήστης για έχετε πρόσβαση σε όλες τις υπηρεσίες του ΕΑΔΔ  Είσοδος /Εγγραφή

Όλα τα τεκμήρια στο ΕΑΔΔ προστατεύονται από πνευματικά δικαιώματα.

Διεύθυνση Handle
http://hdl.handle.net/10442/hedi/16443
Εναλλακτικός τίτλος
Epitaxial growth of high permittivity metal oxides on silicon by MBE for state o the art applications
Συγγραφέας
Βελλιανίτης, Γεώργιος Χρήστος
Ημερομηνία
2004
Ίδρυμα
Εθνικό Μετσόβιο Πολυτεχνείο (ΕΜΠ). Σχολή Εφαρμοσμένων Μαθηματικών και Φυσικών Επιστημών. Τομέας Φυσικής
Εξεταστική επιτροπή
Λιαροκάπης Ευθύμιος
Ράπτης Ιωάννης
Δημούλας Αθανάσιος
Θαναηλάκης Αντώνιος
Ευαγγέλου Ευάγγελος
Τσουκαλάς Δημήτριος
Τσαμάκης Δημήτριος
Επιστημονικό πεδίο
Φυσικές Επιστήμες
Φυσική
Λέξεις-κλειδιά
Υλικά υψηλής διηλεκτρικής σταθεράς; Διηλεκτρικά; Επιταξιακή ανάπτυξη; Ηλεκτρικό ισοδύναμο πάχος
Χώρα
Ελλάδα
Γλώσσα
Ελληνικά
Άλλα στοιχεία
140 σ., εικ.