Το φαινόμενο της ηλεκτρομετανάστευσης σε σχέση με την αξιοπιστία των ολοκληρωμένων κυκλωμάτων

Περίληψη

Η ΠΑΡΟΥΣΑ ΔΙΔΑΚΤΟΡΙΚΗ ΔΙΑΤΡΙΒΗ ΕΞΕΤΑΖΕΙ ΤΟ ΦΑΙΝΟΜΕΝΟ ΤΗΣ ΗΛΕΚΤΡΟΜΕΤΑΝΑΣΤΕΥΣΗΣ ΣΤΙΣ ΕΠΙΜΕΤΑΛΛΩΣΕΙΣ ΟΛΟΚΛΗΡΩΜΕΝΩΝ ΚΥΚΛΩΜΑΤΩΝ ΚΑΙ ΤΗ ΣΧΕΣΗ ΤΗΣ ΜΕ ΤΗΝ ΠΡΟΒΛΕΨΗ ΑΞΙΟΠΙΣΤΙΑΣ ΑΥΤΩΝ. Η ΔΙΑΤΡΙΒΗ ΒΑΣΙΖΕΤΑΙ ΣΕ ΜΙΑ ΣΕΙΡΑ ΔΕΔΟΜΕΝΩΝ ΑΠΟ ΠΕΙΡΑΜΑΤΑ ΑΞΙΟΠΙΣΤΙΑΣ ΕΠΙΜΕΤΑΛΛΩΣΕΩΝ ΛΟΓΩ ΗΛΕΚΤΡΟΜΕΤΑΝΑΣΤΕΥΣΗΣ ΠΟΥ ΠΡΟΥΠΗΡΧΑΝ, ΣΕ ΜΙΑ ΚΑΙΝΟΥΡΙΑ ΣΕΙΡΑ ΔΕΔΟΜΕΝΩΝ ΠΟΥ ΠΡΟΕΚΥΨΑΝ ΑΠΟ ΔΟΚΙΜΕΣ ΣΤΟ ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ ΜΙΚΡΟΗΛΕ- ΚΤΡΟΝΙΚΗΣ, ΚΑΘΩΣ ΚΑΙ ΣΕ ΕΝΑ ΜΟΝΤΕΛΟ ΠΡΟΣΟΜΟΙΩΣΗΣ ΠΟΥ ΑΝΑΠΤΥΧΘΗΚΕ. ΤΑ ΔΕΔΟΜΕΝΑ ΑΥΤΑ ΑΝΑΛΥΘΗΚΑΝ ΜΕ ΣΚΟΠΟ ΤΟΝ ΕΛΕΓΧΟ ΠΡΟΣΑΡΜΟΓΗΣ ΤΟΥΣ ΣΕ ΔΙΑΦΟΡΕΣ ΣΤΑΤΙΣΤΙΚΕΣ ΚΑΤΑΝΟΜΕΣ ΚΑΙ ΑΝΑΠΤΥΧΘΗΚΕ Η ΘΕΩΡΙΑ ΟΤΙ ΜΙΑ ΕΛΑΧΙΣΤΑ ΓΝΩΣΤΗ ΣΤΑΤΙΣΤΙΚΗ ΚΑΤΑΝΟΜΗ, ΗΚΑΤΑΝΟΜΗ GUMBEL, ΑΠΟΤΕΛΕΙ ΤΟ ΠΛΗΣΙΕΣΤΕΡΟ ΣΤΑΤΙΣΤΙΚΟ ΜΟΝΤΕΛΟ ΓΙΑ ΤΙΣ ΠΡΟΒΛΕΨΕΙΣΑΞΙΟΠΙΣΤΙΑΣ ΛΟΓΩ ΦΑΙΝΟΜΕΝΩΝ ΗΛΕΚΤΡΟΜΕΤΑΝΑΣΤΕΥΣΗΣ. Η ΔΙΑΤΡΙΒΗ ΧΩΡΙΖΕΤΑΙ ΣΕ 7 ΚΕΦΑΛΑΙΑ. ΣΤΟ ΠΡΩΤΟ ΚΕΦΑΛΑΙΟ ΓΙΝΕΤΑΙ ΜΙΑ ΑΝΑΣΚΟΠΗΣΗ ΓΕΝΙΚΑ ΤΩΝ ΜΗΧΑΝΙΣΜΩΝ ΒΛΑΒΗΣ ΣΕ ΟΛΟΚΛΗΡΕΜΕΝΑ ΚΥΚΛΩΜΑΤΑ, ΕΝΩ ΣΤΟ ΔΕΥΤΕΡΟ ΚΕΦΑΛΑΙΟ ΠΑΡΟΥΣΙΑΖΟΝΤΑΙ ΟΙ ΜΗΧΑΝΙΣΜΟΙ ΒΛΑΒΗΣ ΣΕ ΣΧΕΣΗ ΜΕ ΤΙΣ ΔΙΑΦΟΡΕΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΕΣ ΚΑΤΑΣΚ ...
περισσότερα

Περίληψη σε άλλη γλώσσα

THE PRESENT PH.D. THESIS EXAMINES ELECTROMIGRATION PHENOMENA IN INTEGRATED CIRCUITS METALLISATIONS AND THEIR RELATION TO RELIABILITY PREDICTION. THE THESISIS BASED ON A SERIES OF DATA FROM EXISTING RELIABILITY TESTS, DATA FROM RELIABILITY TESTS PERFORMED IN THE MICROELECTRONICS LAB AS WELL AS DATA FROM A SIMULATION MODEL THAT WAS DEVELOPED. THE DATA WERE ANALYSED IN ORDER TO EVALUATE THEIR GOODNESS OF FIT IN A SERIES OF STATISTICAL DISTRIBUTIONS. A NEW THEORY ISINTRODUCED THAT A LEAST KNOWN DISTRIBUTION, THE GUMBEL DISTRIBUTION CONSTITUTES THE OPTIMAL STATISTICAL MODEL FOR THE RELIABILITY PREDICTION OF ELECTROMIGRATION INDUCED FAILURES. THE PH.D. THESIS IS DIVIDED IN 7 CHAPTERS. THE FIRST CHAPTER REVIEWS IN GENERAL FAILURE MECHANISMS IN INTEGRATED CIRCUITS WHILST THE SECOND CHAPTER PRESENTS THE FAILURE MECHANISMS IN RELATION TO THE DIFFERENTMANUFACTURING TECHNOLOGIES. THE THIRD CHAPTER DESCRIBES IN DETAIL THE MECHANISMS OF ELECTROMIGRATION IN INTEGRATED CIRCUIT METALLIS ...
περισσότερα
Πρέπει να είστε εγγεγραμένος χρήστης για έχετε πρόσβαση σε όλες τις υπηρεσίες του ΕΑΔΔ  Είσοδος /Εγγραφή

Όλα τα τεκμήρια στο ΕΑΔΔ προστατεύονται από πνευματικά δικαιώματα.

DOI
10.12681/eadd/11237
Διεύθυνση Handle
http://hdl.handle.net/10442/hedi/11237
Εναλλακτικός τίτλος
The electromigration phenomenon and its relation to the reliability of integrated circuits
Συγγραφέας
Λούπης, Μιχαήλ
Ημερομηνία
1999
Ίδρυμα
Εθνικό Μετσόβιο Πολυτεχνείο (ΕΜΠ). Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών
Εξεταστική επιτροπή
Αβαριτσιώτης Ιωάννης
Χαλκιάς Χρήστος
Ουζούνογλου Νικόλαος
Καγκαράκης Κωνσταντίνος
Διαλυνάς Ευάγγελος
Δερβός Κωνσταντίνος
Παπανάνος Ιωάννης
Επιστημονικό πεδίο
Μηχανική & Τεχνολογία
Επιστήμες Ηλεκτρολόγου Μηχανικού, Ηλεκτρονικού Μηχανικού & Μηχανικού Η/Υ
Λέξεις-κλειδιά
Επιμεταλλώσεις; Ηλεκτρομετανάστευση; Κυκλώματα; Ολοκληρωμένα κυκλώματα
Χώρα
Ελλάδα
Γλώσσα
Ελληνικά
Άλλα στοιχεία
269 σελ. : εικ., πίνακες