Ανάπτυξη διπλής επαφής περοβσκίτη-γαλλίου αρσενικού για φωτοβολταϊκές εφαρμογές

Περίληψη

Τα ηλιακά κύτταρα περοβσκίτη αποτελούν σήμερα την πιο γρήγορα αναπτυγμένη τεχνολογία φωτοβολταϊκών (PV), καθώς συνδυάζουν χαμηλό κόστος κατασκευής, υψηλές αποδόσεις μετατροπής και δυνατότητα εναπόθεσης σε εύκαμπτα υποστρώματα. Από την άλλη πλευρά, τα ηλιακά κύτταρα με βάση το GaAs εξακολουθούν να θεωρούνται ως η τεχνολογία αναφοράς στη βιομηχανία φωτοβολταϊκών, επιδεικνύοντας τις υψηλότερες αποδόσεις φωτοβολταϊκών στον τομέα. Σε αυτή τη διατριβή, συνδυάζουμε τα πλεονεκτήματα των δύο συστημάτων υλικών για να παρέχουμε ένα υψηλής απόδοσης ηλιακό κύτταρο περοβσκίτη/GaAs με βελτιωμένα χαρακτηριστικά. Αντίστοιχα, έχουμε κατασκευάσει διατάξεις ηλιακών κυψελών που βασίζονται σε GaAs με απόδοση φωτοβολταϊκών που φτάνουν τις τιμές ~15%, συγκρίσιμες με τις αναφερόμενες τιμές για ηλιακά κύτταρα GaAs παρόμοιου σχεδιασμού. Έχουμε αναπτύξει βελτιστοποιημένες συνταγές για την εναπόθεση κάθε στρώματος μιας φωτοβολταϊκής συσκευής πλήρους περοβσκίτη, συμπεριλαμβανομένου του ενεργού στρώματος περοβσκίτη, ...
περισσότερα

Περίληψη σε άλλη γλώσσα

The perovskite solar cells represent today the most rapidly developed photovoltaic (PV) technology, as they combine low fabrication costs, high conversion efficiencies and the possibility to deposit on flexible substrates. On the other hand, the GaAs-based solar cells are still regarded as the reference technology in the PV industry, exhibiting the highest PV efficiencies of the field. In this thesis, we combine the benefits of the two material systems to provide a high-efficiency perovskite/GaAs tandem solar cell with enhanced characteristics. Accordingly, we have produced GaAs-based solar cell devices with PV efficiencies reaching ~15% values, comparing well with reported values for GaAs solar cells of similar design. We have developed optimized recipes for the deposition of every single layer of a full perovskite PV device, including the perovskite active layer, the electron and hole transporting layers, and the metal contacts. Specifically, we have successfully synthesized “red” pe ...
περισσότερα

Όλα τα τεκμήρια στο ΕΑΔΔ προστατεύονται από πνευματικά δικαιώματα.

DOI
10.12681/eadd/54999
Διεύθυνση Handle
http://hdl.handle.net/10442/hedi/54999
ND
54999
Εναλλακτικός τίτλος
Development of perovskite-gallium arsenide double-junction photovoltaic devices
Συγγραφέας
Μανιδάκης, Εμμανουήλ (Πατρώνυμο: Γεώργιος)
Ημερομηνία
2023
Ίδρυμα
Πανεπιστήμιο Κρήτης. Σχολή Θετικών και Τεχνολογικών Επιστημών. Τμήμα Επιστήμης και Τεχνολογίας Υλικών
Εξεταστική επιτροπή
Πελεκάνος Νικόλαος
Στούμπος Κωνσταντίνος
Κιοσέογλου Γεώργιος
Κοπιδάκης Γεώργιος
Κυμάκης Εμμανουήλ
Στρατάκης Εμμανουήλ
Φαλάρας Πολύκαρπος
Επιστημονικό πεδίο
Φυσικές ΕπιστήμεςΦυσική ➨ Φυσική, διεπιστημονική προσέγγιση
Λέξεις-κλειδιά
Γάλλιο-αρσενικό; Περοβσκίτης; Φωτοβολταϊκά; Τάντεμ φωτοβολταϊκά; Παθητικοποίηση γαλλίου αρσενικού
Χώρα
Ελλάδα
Γλώσσα
Αγγλικά
Άλλα στοιχεία
εικ., πιν., σχημ., γραφ.
Στατιστικά χρήσης
ΠΡΟΒΟΛΕΣ
Αφορά στις μοναδικές επισκέψεις της διδακτορικής διατριβής για την χρονική περίοδο 07/2018 - 07/2023.
Πηγή: Google Analytics.
ΞΕΦΥΛΛΙΣΜΑΤΑ
Αφορά στο άνοιγμα του online αναγνώστη για την χρονική περίοδο 07/2018 - 07/2023.
Πηγή: Google Analytics.
ΜΕΤΑΦΟΡΤΩΣΕΙΣ
Αφορά στο σύνολο των μεταφορτώσων του αρχείου της διδακτορικής διατριβής.
Πηγή: Εθνικό Αρχείο Διδακτορικών Διατριβών.
ΧΡΗΣΤΕΣ
Αφορά στους συνδεδεμένους στο σύστημα χρήστες οι οποίοι έχουν αλληλεπιδράσει με τη διδακτορική διατριβή. Ως επί το πλείστον, αφορά τις μεταφορτώσεις.
Πηγή: Εθνικό Αρχείο Διδακτορικών Διατριβών.