ΜΕΛΕΤΗ ΤΟΥ ΣΧΗΜΑΤΙΣΜΟΥ ΤΩΝ ΔΙΕΠΙΦΑΝΕΙΩΝ ΡΗΝΙΟΥ/ΠΥΡΗΤΙΟΥ ΚΑΙ ΕΡΒΙΟΥ/ ΠΥΡΗΤΙΟΥ ΜΕΕΠΙΦΑΝΕΙΑΚΑ ΕΥΑΙΣΘΗΤΕΣ ΤΕΧΝΙΚΕΣ

Περίληψη

ΣΤΗΝ ΕΡΓΑΣΙΑ ΑΥΤΗ ΜΕΛΕΤΗΘΗΚΑΝ ΟΙ ΣΥΝΘΗΚΕΣ ΣΧΗΜΑΤΙΣΜΟΥ ΚΑΙ ΟΙ ΙΔΙΟΤΗΤΕΣ ΤΩΝ ΔΙΕΠΙΦΑΝΕΙΩΝ RE/SI ΚΑΙ ER/SI ΠΑΝΩ ΣΕ ΜΟΝΟΚΡΥΣΤΑΛΛΟΥΣ ΠΥΡΙΤΙΟΥ. Α. ΛΕΠΤΑ ΥΜΕΝΙΑ (0-50Α) RE ΑΝΑΠΤΥΧΘΗΚΑΝ ΜΕ ΕΧΑΧΝΩΣΗ ΣΕ ΣΥΝΘΗΚΕΣ ΥΠΕΡΥΨΗΛΟΥ ΚΕΝΟΥ (UHV) ΠΑΝΩ ΣΕ ΤΡΕΙΣ ΔΙΑΦΟΡΕΤΙΚΕΣ ΕΠΙΦΑΝΕΙΕΣ ΠΥΡΙΤΙΟΥ. Ο ΤΡΟΠΟΣ ΑΝΑΠΤΥΞΗΣ ΤΟΥΣ ΣΕ ΘΕΡΜΟΚΡΑΣΙΑΔΩΜΑΤΙΟΥ (RT) ΚΑΙ Η ΣΥΜΠΕΡΙΦΟΡΑ ΤΟΥΣ ΚΑΤΑ ΤΗ ΔΙΑΡΚΕΙΑ ΣΤΑΔΙΑΚΗΣ ΘΕΡΜΑΝΣΗΣ ΜΕΛΕΤΗΘΗΚΑΝ ΜΕ ΤΙΣ ΤΕΧΝΙΚΕΣ XPS, XAES, UPS, LEED ΚΑΙ ΜΕ ΜΕΤΡΗΣΕΙΣ ΕΡΓΟΥ ΕΞΟΔΟΥ.ΚΑΤΑ ΤΗΝ ΑΠΟΘΕΣΗ ΤΟΥ RE ΔΕΝ ΣΥΜΒΑΙΝΕΙ ΑΝΑΜΕΙΞΗ ΜΕΤΑΞΥ ΑΤΟΜΩΝ RE ΚΑΙ SI ΣΕ Τ=300-400Κ (ΑΠΟΤΟΜΗ ΔΙΕΠΙΦΑΝΕΙΑ). ΤΟ RE ΑΝΑΠΤΥΣΣΕΤΑΙ ΠΑΝΩ ΣΤΟ SI ΣΕ ΠΟΛΛΑΠΛΑ ΣΤΡΩΜΑΤΑ ΜΕ ΑΡΧΙΚΗ ΔΗΜΙΟΥΡΓΙΑ ~80% ΤΟΥ ΠΡΩΤΟΥ ΜΟΝΟΣΤΡΩΜΑΤΟΣ. ΘΕΡΜΑΝΣΗ ΤΩΝ ΥΜΕΝΙΩΝ RE ΟΔΗΓΕΙ ΣΤΗ ΔΗΜΙΟΥΡΓΙΑ ΕΠΙΤΑΞΙΑΚΟΥ ΗΜΙΑΓΩΓΙΜΟΥ RESI2 ΣΕ T=950Κ. ΣΕ ΘΕΡΜΟΚΡΑΣΙΕΣ ΜΕΓΑΛΥΤΕΡΕΣ ΑΠΟ 1100 Κ ΤΟ ΥΜΕΝΙΟ RESI2 ΣΠΑΖΕΙ ΑΦΗΝΟΝΤΑΣ ΑΚΑΛΥΠΤΕΣ ΠΕΡΙΟΧΕΣ ΑΠΟ ΤΟ ΥΠΟΣΤΡΩΜΑ. Β. ΥΜΕΝΙΑ ΕR (0-50Α) ΕΞΑΧΝΩΘΗΚΑΝ ΠΑΝΩ ΣΕ SI(100) ΣΕ ΣΥΝΘΗΚΕΣ ΥΠΕΡΥΨΗΛΟΥ ΚΕΝΟΥ. ΟΙ ΙΔΙΟΤΗΤΕΣ ΤΟΥΣ ΚΑΤΑ ΤΗΝ ΑΠΟΘ ...
περισσότερα

Περίληψη σε άλλη γλώσσα

THE SUBJECT OF THIS THESIS IS THE INVESTIGATION OF THE RE/SI AND ER/SI INTERFACE FORMATION ON SINGLE CRYSTAL SILICON SURFACES. A. THIN RE FILMS (0-50A) WERE EVAPORATED UNDER UHV CONDITIONS ON THREE DIFFERENT SILICON SURFACES. THEIR GROWTH MODE NEAR RT AND THEIR BEHAVIOR UPON ANNEALING WERE STUDIED IN SITUBY XPS, XAES, UPS, LEED AND WORK FUNCTION MEASUREMENTS. DURING RE EVAPORATIONNO INTERMIXING OCCURS BETWEEN RE AND SI ATOMS AT T =300-400K (ABRUPT INTERFACE). RE GROWS ON SI FORMING SIMULTANEOUS MULTILAYERS, WITH THE INITIAL CREATION OF ~80% OF THE FIRST MONOLAYER. ANNEALING OF THE RE DEPOSITS LEADS, AT T=950K, TO THE FORMATION OF EPITAXIAL RESI2 WHICH IS SEMICONDUCTING. ABOVE 1100K THE RESI2 FILM IS DISRUPTED. B. ER FILMS (0-50) WERE EVAPOTATED UNDER UHV CONDITIONS ON THE SI(100) SURFACE. THEIR PROPERTIES DURING DEPOSITION WERE STUDIED FOR THREE DIFFERENT SUBSTRATE TEMPERATURES (230K, 370K, 500K) AND UPON ANNEALING, BY XPS, XAES AND WORK FUNCTION MEASUREMENTS. AT T= ...
περισσότερα
Πρέπει να είστε εγγεγραμένος χρήστης για έχετε πρόσβαση σε όλες τις υπηρεσίες του ΕΑΔΔ  Είσοδος /Εγγραφή

Όλα τα τεκμήρια στο ΕΑΔΔ προστατεύονται από πνευματικά δικαιώματα.

DOI
10.12681/eadd/3534
Διεύθυνση Handle
http://hdl.handle.net/10442/hedi/3534
ND
3534
Εναλλακτικός τίτλος
A STUDY OF THE RE/SI AND ER/SI INTERFACE FORMATION USING SURFACE SENSITIVE TECHNIQUE
Συγγραφέας
ΣΙΩΚΟΥ, ΑΓΓΕΛΙΚΗ
Ημερομηνία
1995
Ίδρυμα
Πανεπιστήμιο Πατρών. Σχολή Πολυτεχνική. Τμήμα Χημικών Μηχανικών
Εξεταστική επιτροπή
ΛΑΔΑΣ ΣΠΥΡΙΔΩΝ
ΒΑΓΕΝΑΣ ΚΩΝΣΤΑΝΤΙΝΟΣ
ΚΕΝΝΟΥ ΣΤΥΛΙΑΝΗ
ΠΑΠΑΘΕΟΔΩΡΟΥ ΓΕΩΡΓΙΟΣ
ΝΙΚΟΛΟΠΟΥΛΟΣ ΠΑΝΑΓΙΩΤΗΣ
ΠΟΛΙΤΗΣ ΚΩΝΣΤΑΝΤΙΝΟΣ
ΚΟΡΔΟΥΛΗΣ ΧΡΙΣΤΟΣ
Επιστημονικό πεδίο
Μηχανική & Τεχνολογία
Επιστήμες Χημικού Μηχανικού
Λέξεις-κλειδιά
Διεπιφάνεια; Επιφάνεια; Έρβιο; Έργο εξόδου; Κρυσταλλικότητα; Πυρίτιο; Ρήνιο; ΦΩΤΟΕΚΠΟΜΠΗ
Χώρα
Ελλάδα
Γλώσσα
Ελληνικά