ΑΝΑΠΤΥΞΗ, ΙΔΙΟΤΗΤΕΣ ΚΑΙ ΕΦΑΡΜΟΓΕΣ ΚΡΑΜΑΤΩΝ ΑΜΟΡΦΩΝ ΗΜΙΑΓΩΓΩΝ

Περίληψη

Η ΠΑΡΟΥΣΑ ΔΙΔΑΚΤΟΡΙΚΗ ΔΙΑΤΡΙΒΗ ΕΚΠΟΝΗΘΗΚΕ ΣΤΑ ΠΛΑΙΣΙΑ ΒΕΛΤΙΣΤΟΠΟΙΗΣΗΣ ΤΩΝ ΙΔΙΟΤΗΤΩΝ ΚΑΙ ΜΕΛΕΤΗΣ ΤΩΝ ΕΦΑΡΜΟΓΩΝ ΤΟΥ A-SIC:H. ΕΙΔΙΚΟΤΕΡΑ, ΜΕΛΕΤΗΘΗΚΕ, ΓΙΑ ΠΡΩΤΗ ΦΟΡΑ, Η ΕΞΑΡΤΗΣΗ ΤΗΣ ΔΟΜΗΣ, ΤΗΣ ΧΗΜΙΚΗΣ ΣΥΣΤΑΣΗΣ, ΚΑΘΩΣ ΚΑΙ ΤΩΝ ΟΠΤΙΚΩΝ ΚΑΙΗΛΕΚΤΡΙΚΩΝ ΙΔΙΟΤΗΤΩΝ ΤΩΝ ΛΕΠΤΩΝ ΥΜΕΝΙΩΝ A-SIC:H, ΠΟΥ ΑΝΑΠΤΥΧΘΗΚΑΝ ΜΕ ΤΗΝ ΤΕΧΝΙΚΗ R.F. SPUTTERING, ΑΠΟ ΤΗ ΘΕΡΜΟΚΡΑΣΙΑ ΥΠΟΣΤΡΩΜΑΤΟΣ (ΣΤΗΝ ΠΕΡΙΟΧΗ ΑΠΟ 30 ΒΑΘ. C ΕΩΣ 330 ΒΑΘ. C ) ΚΑΙ ΓΙΑ ΔΙΑΦΟΡΕΤΙΚΕΣ ΡΟΕΣ ΥΔΡΟΓΟΝΟΥ (0SCCM, 9SCCM, 14SCCM, ΚΑΙ 20SCCM), ΠΡΟΚΕΙΜΕΝΟΥ ΝΑ ΕΠΙΤΕΥΧΘΕΙ Η ΒΕΛΤΙΣΤΗ ΠΟΙΟΤΗΤΑ ΑΜΟΡΦΟΥ ΥΛΙΚΟΥ. ΤΑ ΑΠΟΤΕΛΕΣΜΑΤΑ ΤΟΥ ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΜΟΥ ΤΩΝ ΛΕΠΤΩΝ ΥΜΕΝΙΩΝ Α-SIC:H ΕΔΕΙΞΑΝ ΟΤΙ ΤΟ ΟΠΤΙΚΟ ΕΝΕΡΓΕΙΑΚΟ ΧΑΣΜΑ ΜΕΤΑΒΑΛΛΕΤΑΙ ΣΗΜΑΝΤΙΚΑ ΜΕ ΤΗ ΘΕΡΜΟΚΡΑΣΙΑ ΥΠΟΣΤΡΩΜΑΤΟΣ(ΜΕΧΡΙ 0.25EV) KAI ΠΟΛΥ ΠΕΡΙΣΣΟΤΕΡΟ ΜΕ ΤΗ ΡΟΗ ΥΔΡΟΓΟΝΟΥ (ΜΕΧΡΙ 0.9EV). ΕΠΙΣΗΣ ΥΠΑΡΧΕΙ ΜΙΑ ΘΕΡΜΟΚΡΑΣΙΑ ΥΠΟΣΤΡΩΜΑΤΟΣ ΠΟΥ ΕΙΝΑΙ ΣΥΝΑΡΤΗΣΗ ΤΗΣ ΡΟΗΣ ΥΔΡΟΓΟΝΟΥ ΣΤΗΝ ΟΠΟΙΑ ΕΠΙΤΥΓΧΑΝΕΤΑΙ Η ΒΕΛΤΙΣΤΗ ΠΟΙΟΤΗΤΑ ΑΜΟΡΦΟΥ ΥΛΙΚΟΥ. ΜΕ ΒΑΣΗ ΤΑ ΑΠΟΤΕΛΕΣΜΑΤΑ ΤΟΥ ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΜΟΥ ΤΩΝ ΛΕΠΤΩΝ ΥΜΕΝΙΩΝ Α-SIC:H KA ...
περισσότερα

Περίληψη σε άλλη γλώσσα

THE ,WORK WAS CARRIED OUT IN ORDER TO IMPROVE THE PROPERTIES OF A A-SIC:H AND STUDY ITS DEVICE APPLICATIONS. MORE SPECIFICALLY, IT WAS STUDIED, FOR THE FIRST TIME, THE DEPENDENCE OF STRUCTURAL, OPTICAL AND ELECTRICAL PROPERTIES OF A-SIC:H THIN FILMS, DEPOSITED BY RF SPUTTERING ON THE SUBSTATE TEMPERATURE (FROM 30 DEG. C UP TO 330 DEG. C) FOR DIFFERENT HYDROGEN FLOW RATES (0 SCCM, 9 SCCM,14 SCCM, 20 SCM), IN ORDER TO ACHIVE THE OPTIMUM MATERIAL QUALITY. THE EXPERIMENTAL RESULTS OF CHARACTERIZATION OF A-SIC:H THIN FILMS SHOWED THAT, THE OPTICAL ENERGY BAND GAP VARIES SIGNIFICANTLY WITH THE SUBSTRATE TEMPERATURE (UP TO.25 EV) AND THIS VARIATION IS EVEN GREATER WITH THE HYDROGEN FLOW RATE (UP TO.9 EV), AS WELL AS, THERE IS A SUBSTRATE TEMPERATURE, WHICH IS A FUNCTION OF THE HYDROGEN FLOW RATE, AT WHICH THE OPTIMUN QUALITY OF A-SIC:H IS ACHIVED. USING THE ABOVE RESULTS OF CHARACTERIZATION OF A-SIC:H THIN FILMS, HETEROJUNCTIONS A-SIC/C-SI (P OR N), AS WELL AS, SCHOTTKY DIODES M/ ...
περισσότερα
Πρέπει να είστε εγγεγραμένος χρήστης για έχετε πρόσβαση σε όλες τις υπηρεσίες του ΕΑΔΔ  Είσοδος /Εγγραφή

Όλα τα τεκμήρια στο ΕΑΔΔ προστατεύονται από πνευματικά δικαιώματα.

DOI
10.12681/eadd/2860
Διεύθυνση Handle
http://hdl.handle.net/10442/hedi/2860
Εναλλακτικός τίτλος
DEVELOPMENT, PROPERTIES AND APPLICATIONS AMORPHUS SEMICONDUCTORS ALLOYS
Συγγραφέας
ΜΑΓΚΑΦΑΣ, ΛΥΚΟΥΡΓΟΣ
Ημερομηνία
1992
Ίδρυμα
Δημοκρίτειο Πανεπιστήμιο Θράκης (ΔΠΘ). Σχολή Πολυτεχνική. Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών
Εξεταστική επιτροπή
ΘΑΝΑΗΛΑΚΗΣ ΑΝΤΩΝΙΟΣ
ΓΕΩΡΓΟΥΛΑΣ ΝΙΚΟΛΑΟΣ
ΑΝΤΩΝΟΠΟΥΛΟΣ ΙΩΑΝΝΗΣ
ΤΣΑΛΙΔΗΣ ΦΙΛΙΠΠΟΣ
ΑΒΑΡΙΤΣΙΩΤΗ Ι
Επιστημονικό πεδίο
Μηχανική & Τεχνολογία
Επιστήμες Ηλεκτρολόγου Μηχανικού, Ηλεκτρονικού Μηχανικού & Μηχανικού Η/Υ
Λέξεις-κλειδιά
ΑΝΙΣΟΤΥΠΕΣ - ΙΣΟΤΥΠΕΣ ΕΤΕΡΟΕΠΑΦΕΣ; ΑΝΟΡΘΩΤΙΚΕΣ ΙΔΙΟΤΗΤΕΣ; Δίοδοι Schottky; ΔΟΜΙΚΕΣ, ΟΠΤΙΚΕΣ, ΗΛΕΚΤΡΙΚΕΣ ΙΔΙΟΤΗΤΕΣ; Λεπτά υμένια; Φωτοβολταϊκά στοιχεία; Φωτοευαισθησία
Χώρα
Ελλάδα
Γλώσσα
Ελληνικά