Εναπόθεση οξειδίων του πυριτίου με πλάσμα οργανοπυριτικών ενώσεων για την προστασία μεταλλικών επιφανειών από τη διάβρωση

Περίληψη

Τα λεπτά υμένια οξειδίων του πυριτίου (SiOx) χρησιμοποιούνται σήμερα ευρέως στην μικροηλεκτρονική και στη βιομηχανία συσκευασίας τροφίμων ενώ τα τελευταία χρόνια υπάρχει έντονο ερευνητικό ενδιαφέρον για την εφαρμογή τους στην προστασία μετάλλικών επιφανειών από την διάβρωση. Η χημική εναπόθεση SiOχ με τη χρήση πλάσματος χαμηλής πίεσης του τετρααιθοξυσιλανίου (TEOS) παρουσιάζει μερικά σημαντικά πλεονεκτήματα όπως εναπόθεση σε χαμηλές θερμοκρασίες, ομοιόμορφη κάλυψη της επιφανείας και μεγάλους ρυθμούς εναπόθεσης. Από την άλλη πλευρά, η ιδιαιτερότητα της εναπόθεσης μέσω πλάσματος ΤΕΟS, έγκειται στο γεγονός ότι η δομή, οι ιδιότητες και η χημική σύσταση των παραγόμενων υμενίων εξαρτώνται σημαντικά από τις παραμέτρους της διεργασίας, λόγω της πολυπλοκότητας του πλάσματος του ΤΕΟS. Είναι χαρακτηριστικό ότι ανάλογα με τις συνθήκες εναπόθεσης μπορούν να παραχθούν υλικά που η χημική τους σύσταση ποικίλλει μεταξύ σιλικόνης (SiOxCyHz) και σχεδόν στοιχειομετρικού SiO2. Στην παρούσα εργασία εξετάζε ...
περισσότερα
Πρέπει να είστε εγγεγραμένος χρήστης για έχετε πρόσβαση σε όλες τις υπηρεσίες του ΕΑΔΔ  Είσοδος /Εγγραφή

Όλα τα τεκμήρια στο ΕΑΔΔ προστατεύονται από πνευματικά δικαιώματα.

DOI
10.12681/eadd/15440
Διεύθυνση Handle
http://hdl.handle.net/10442/hedi/15440
Εναλλακτικός τίτλος
Deposition of silicon oxide films (SiOx) using plasma enhanced chemical vapor deposition for the protection of metallic surfaces from corrosion
Συγγραφέας
Βούλγαρης, Χαράλαμπος Θεόδωρος
Ημερομηνία
2007
Ίδρυμα
Πανεπιστήμιο Πατρών. Σχολή Πολυτεχνική. Τμήμα Χημικών Μηχανικών
Εξεταστική επιτροπή
Ματαράς Δημήτριος
Ραπακούλιας Δημήτριος
Κονταρίδης Δημήτριος
Νικολόπουλος Παναγιώτης
Αγγελόπουλος Γεώργιος
Μπεμπέλης Συμεών
Χαριτίδης Κωνσταντίνος
Επιστημονικό πεδίο
Μηχανική & Τεχνολογία
Επιστήμες Χημικού Μηχανικού
Λέξεις-κλειδιά
Πυρίτιο; Οξείδια; Πλάσμα; Εναπόθεση; Μαγνήσιο; Αλουμίνιο; Διάβρωση
Χώρα
Ελλάδα
Γλώσσα
Ελληνικά
Άλλα στοιχεία
208 σ., εικ.