ΦΑΣΜΑΤΟΣΚΟΠΙΚΗ ΜΕΛΕΤΗ ΒΑΘΜΙΔΩΝ ΘΕΡΜΟΚΡΑΣΙΑΣ ΣΤΗΝ ΕΠΙΦΑΝΕΙΑ ΗΜΙΑΓΩΓΩΝ, ΛΟΓΩ ΑΚΤΙΝΟΒΟΛΙΑΣ LASER

Περίληψη

Η ΙΣΧΥΡΗ ΕΣΤΙΑΣΗ ΔΕΣΜΗΣ LASER ΣΤΗΝ ΕΠΙΦΑΝΕΙΑ ΚΡΥΣΤΑΛΛΙΚΟΥ ΠΥΡΙΤΙΟΥ ΕΠΑΓΕΙ ΜΙΑ ΑΣΥΜΜΕΤΡΗ ΔΙΕΥΡΥΝΣΗ ΣΤΟ ΦΑΣΜΑ RAMAN ΠΡΩΤΗΣ ΤΑΞΗΣ ΠΡΟΣ ΤΙΣ ΧΑΜΗΛΟΤΕΡΕΣ ΣΧΕΤΙΚΕΣ ΣΥΧΝΟΤΗΤΕΣ. ΕΓΙΝΕ ΠΕΙΡΑΜΑΤΙΚΗ ΔΙΑΠΙΣΤΩΣΗ ΑΥΤΗΣ ΤΗΣ ΣΥΜΠΕΡΙΦΟΡΑΣ ΚΑΙ ΑΠΟΔΕΙΧΘΗΚΕ,ΜΕ ΑΡΙΘΜΗΤΙΚΕΣ ΜΕΘΟΔΟΥΣ, ΟΤΙ ΟΙ ΘΕΡΜΟΚΡΑΣΙΑΚΕΣ ΚΑΤΑΝΟΜΕΣ ΠΟΥ ΠΡΟΚΥΠΤΟΥΝ ΣΑΝ ΛΥΣΗ ΤΗΣ ΕΞΙΣΩΣΗΣ ΔΙΑΧΥΣΗΣ ΤΗΣ ΘΕΡΜΟΤΗΤΑΣ ΜΠΟΡΟΥΝ ΝΑ ΠΑΡΑΓΟΥΝ ΣΥΝΟΛΙΚΟ ΦΑΣΜΑ ΜΕ ΑΝΑΛΟΓΗ ΜΟΡΦΟΛΟΓΙΑ. ΜΕΛΕΤΗΘΗΚΕ Η ΕΞΑΡΤΗΣΗ ΑΥΤΩΝ ΤΩΝ ΦΑΙΝΟΜΕΝΩΝ ΑΠΟ ΤΟ ΜΗΚΟΣ ΚΥΜΑΤΟΣ ΤΟΥ LASER ΚΑΙ ΑΠΟ ΤΗ ΘΕΡΜΟΚΡΑΣΙΑ ΥΠΟΒΑΘΡΟΥ. ΜΕΛΕΤΗΘΗΚΕ ΕΠΙΣΗΣ Η ΕΠΙΔΡΑΣΗ ΤΩΝ ΒΑΘΜΙΔΩΝ ΘΕΡΜΟΚΡΑΣΙΑΣ ΣΤΟ ΦΑΣΜΑ ΠΥΡΙΤΙΟΥ ΜΕ ΠΡΟΣΜΕΙΞΕΙΣ ΒΟΡΙΟΥ. ΤΑ ΠΕΙΡΑΜΑΤΙΚΑ ΦΑΣΜΑΤΑ ΣΥΜΠΙΠΤΟΥΝ ΑΡΚΕΤΑ ΚΑΛΑ ΜΕ ΤΑ ΑΠΟΤΕΛΕΣΜΑΤΑ ΤΩΝ ΥΠΟΛΟΓΙΣΜΩΝ ΠΟΥ ΒΑΣΙΖΟΝΤΑΙ ΣΤΟ ΘΕΡΜΙΚΟ ΜΟΝΤΕΛΟ. ΠΡΟΤΕΙΝΕΤΑΙ ΤΕΛΟΣ ΜΙΑ ΔΙΑΔΙΚΑΣΙΑ ΑΠΟΣΥΝΕΛΙΞΗΣ ΤΗΣ ΚΑΤΑΝΟΜΗΣ ΘΕΡΜΟΚΡΑΣΙΩΝ ΑΠΟ ΤΑ ΦΑΣΜΑΤΑ RAMAN ΚΑΙ ΕΚΤΙΜΩΝΤΑΣ ΤΑ ΟΡΙΑ ΕΦΑΡΜΟΓΗΣ ΑΥΤΗΣ ΤΗΣ ΜΕΘΟΔΟΥ.

Περίληψη σε άλλη γλώσσα

THE SHARP FOCUSING OF AN INTENSE LASER BEAM ON THE SURFACE OF CRYSTALLINE SILICON INDUCES AND ASSYMETRIC BROADENING OF THE FIRST ORDER RAMAN SPECTRUM, TOWARDSTHE LOWER RELATIVE FREQUENCIES. WE CONFIRM THIS SYSTEMATIC BEHAVIOUR AND INTERPRET IT AS THE RESULT OF AN INTEGRATION, OVER THE TOTAL SCATTERING VOLUME, OF ELEMENTARY CONTRIBUTIONS. THE CHARACTERISTICS OF THESE DIFFERENTIAL CONTRIBUTIONS (BANDS) VARY ACCORDING TO THE TEMPERATURE DEPENDENCE OF THE OPTICAL FUNCTIONSAND OF THE UNHARMONIC AND THERMOELASTIC PROPERTIES OF THE MATERNAL. THESE EFFECTS HAVE BEEN STUDIED FOR VARIOUS WAVE LENGTHS, BACKGROUND TEMPERATURES, AND FOR HIGH CONCENTRATION OF P-TYPE CARRIERS. WE FIND VERY GOOD AGREEMENT BETWEEN THE EXPERIMENTAL RESULTS AND THE THEORETICAL PREDICTIONS, BASED ON THE THERMAL MODEL. FINALLY A DECONVOLUTION PROCEDURE IS PROPOSED IN ORDER TO EXTRACT THE TEMPERATURE DISTRIBUTION FROM THE RAMAN SPECTRA.
Πρέπει να είστε εγγεγραμένος χρήστης για έχετε πρόσβαση σε όλες τις υπηρεσίες του ΕΑΔΔ  Είσοδος /Εγγραφή

Όλα τα τεκμήρια στο ΕΑΔΔ προστατεύονται από πνευματικά δικαιώματα.

DOI
10.12681/eadd/0701
Διεύθυνση Handle
http://hdl.handle.net/10442/hedi/0701
Εναλλακτικός τίτλος
SPECTROSCOPIC STUDY OF TEMPERATURE GRADIENTS ON SEMICONDUCTOR SURFACE, DUE TO LASER RADIATION
Συγγραφέας
ΡΑΠΤΗΣ, ΙΩΑΝΝΗΣ
Ημερομηνία
1988
Ίδρυμα
Εθνικό Μετσόβιο Πολυτεχνείο (ΕΜΠ). Τμήμα Γενικό
Εξεταστική επιτροπή
ΑΝΑΣΤΑΣΑΚΗΣ ΕΥΑΓΓΕΛΟΣ
ΛΙΑΡΟΚΑΠΗΣ ΕΥΘΥΜΙΟΣ
ΖΟΥΜΠΟΥΛΗΣ ΗΛΙΑΣ
ΤΡΙΜΠΕΡΗ Σ ΓΕΩΡΓΙΟΣ
ΠΑΡΑΣΚΕΥΑΙΔΗΣ ΚΩΝΣΤΑΝΤΙΝΟΣ,
Επιστημονικό πεδίο
Μηχανική & Τεχνολογία
Λέξεις-κλειδιά
ΑΣΥΜΜΕΤΡΗ ΔΙΕΡΕΥΝΗΣΗ; Βαθμίδες θερμοκρασίας; ΔΕΣΜΗ LASER; ΜΕΤΑΤΟΠΙΣΗ ΣΥΧΝΟΤΗΤΑΣ; Πυρίτιο; ΦΑΣΜΑ RAMAN ΠΡΩΤΗΣ ΤΑΞΗΣ; Φασματοσκοπία Raman
Χώρα
Ελλάδα
Γλώσσα
Ελληνικά