Σχεδίαση RF CMOS πομποδεκτών σε νανο-κλίμακα

Περίληψη

Η παρούσα διατριβή, παρέχει κατευθυντήριες γραμμές για σχεδίαση RF κυκλωμάτων, πολύ χαμηλής κατανάλωσης, εστιάζοντας στην σχεδίαση ενισχυτών χαμηλού θορύβου (LNA). Για τον σκοπό αυτό, έχει υλοποιηθεί, μετρηθεί, χαρακτηριστεί και μοντελοποιηθεί τεχνολογία 90 nm της TSMC, από συνθήκες μηδενικής συχνότητας (DC) μέχρι RF. Οι παρασιτικές χωρητικότητες που εμφανίζονται στις μετρήσεις RF και θορύβου, λόγω της ύπαρξης των δομών για την ηλεκτρική επαφή (pads) και των γραμμών μεταφοράς, έχουν αφαιρεθεί από τις δομές που μελετήθηκαν, μέσω συγκεκριμένων τεχνικών (de-embedding). Ο θερμικός θόρυβος των CMOS διατάξεων έχει μελετηθεί μέσω παραμέτρων θορύβου, οι οποίες μοντελοποιούνται και επαληθεύονται μέσω μετρήσεων για πρώτη φορά, για διάφορα μήκη καναλιού, ως προς έναν χαρακτηριστικό δείκτη αναστροφής στο κανάλι του MOS transistor, ονόματι δείκτης αναστροφής. Το βέλτιστο σημείο πόλωσης για την ελαχιστοποίηση του θορύβου, επιτυγχάνεται κοντά σε μέτρια επίπεδα αναστροφής και φαίνεται να μετατοπίζετα ...
περισσότερα

Περίληψη σε άλλη γλώσσα

This thesis provides guidelines for low-power (LP) RFIC design, focusing on low-noise amplifier (LNA) design, by implementing, measuring, characterizing, and modeling a 90 nm CMOS LP process, from DC to RF. De-embedding is applied to RF and noise measurements in order to remove parasitics inserted from pads and interconnect lines from the device-under-test (DUT).Model parameters essential for circuit design, e.g., excess noise factor, γ, and thermal noise parameter, δ, are verified with measurements for the first time, for various channel lengths over the channel inversion level. The optimum bias point for noise matching is obtained close to moderate inversion (M.I.) and is shown to be shifted to inversion levels within the M.I. region, as channel length decreases.Small signal characterization and modeling of active devices is performed and conventional as well as more complex figures of Merit (FoMs), recently proposed, such as transconductance frequency product, are examined. Measurem ...
περισσότερα

Όλα τα τεκμήρια στο ΕΑΔΔ προστατεύονται από πνευματικά δικαιώματα.

Διεύθυνση Handle
http://hdl.handle.net/10442/hedi/35231
ND
35231
Εναλλακτικός τίτλος
Nanoscale RF CMOS transceiver design
Συγγραφέας
Αντωνόπουλος, Άγγελος του Κωνσταντίνος
Ημερομηνία
2014
Ίδρυμα
Πολυτεχνείο Κρήτης. Σχολή Ηλεκτρονικών Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών
Εξεταστική επιτροπή
Μπούχερ Ματτίας
Παπανάνος Ιωάννης
Enz Christian
Μπλέτσας Άγγελος
Μπίρμπας Αλέξιος
Βλάσσης Σπύρος
Schroter Michael
Επιστημονικό πεδίο
Επιστήμες Μηχανικού και Τεχνολογία
Επιστήμη Ηλεκτρολόγου Μηχανικού, Ηλεκτρονικού Μηχανικού, Μηχανικού Η/Υ
Λέξεις-κλειδιά
Σχεδιασμός πομποδεκτών
Χώρα
Ελλάδα
Γλώσσα
Αγγλικά
Άλλα στοιχεία
158 σ., εικ., πιν., σχημ., γραφ.
Στατιστικά χρήσης
ΠΡΟΒΟΛΕΣ
Αφορά στις μοναδικές επισκέψεις της διδακτορικής διατριβής.
Πηγή: Google Analytics.
ΞΕΦΥΛΛΙΣΜΑΤΑ
Αφορά στο άνοιγμα του online αναγνώστη.
Πηγή: Google Analytics.
ΜΕΤΑΦΟΡΤΩΣΕΙΣ
Αφορά στο σύνολο των μεταφορτώσων του αρχείου της διδακτορικής διατριβής.
Πηγή: Εθνικό Αρχείο Διδακτορικών Διατριβών.
ΧΡΗΣΤΕΣ
Αφορά στις μοναδικές επισκέψεις της διδακτορικής διατριβής.
Πηγή: Εθνικό Αρχείο Διδακτορικών Διατριβών.
Σχετικές εγγραφές (με βάση τις επισκέψεις των χρηστών)