Φασματοσκοπικές μελέτες υλικών μεταφοράς φορτίου και μικτών αλκαλικών γυαλιών

Abstract

PART I. THE MECHANISM OF ELECTRICAL SWITCHING IN CU/CUTCNQ FILMS WAS STUDIED INSITU BY RAMAN SPECTROSCOPY. THE INITIAL FILM IS CU+TCNQ-, WHILE TCNQ WAS OBSERVED AFTER SWITCHING IN AMOUNTS INCREASING WITH TIME OF APPLICATION OF THE FIELD. PHOTOINDUCED TRANSFORMATIONS OF SEVERAL METAL-TCNQ MATERIALS WITH VISIBLE LIGHT WERE OBSERVED AND STUDIED BY RAMAN SPECTROSCOPY. BOTH PARTIAL AND COMPLETE TRANSFORMATIONS WERE EFFECTED. IMPLICATIONS FOR PHOTOSWITCHING AND POTENTIAL APPLICATIONS FOR LIGHT WRITING AND OPTOELECTRONIC DEVICES ARE DISCUSSED. FILMS OF CUTCNQ AND AGTCNQ WERE PREPARED ON VARIOUS SUBSTRATES BY AN EVAPORATION AND HEAT TREATMENT METHOD. CONTROLLED EXPOSURE OF THESE FILMS TO ELECTRON BEAMS LEADS TO FORMATION OF METALLIC PARTICLES AND TCNQ. (SHORTENED)

ΜΕΡΟΣ Ι. Ο ΜΗΧΑΝΙΣΜΟΣ ΤΗΣ ΑΛΛΑΓΗΣ ΗΛΕΚΤΡΙΚΗΣ ΑΓΩΓΙΜΟΤΗΤΑΣ ΥΠΟ ΤΗΝ ΕΠΙΔΡΑΣΗ ΗΛΕΚΤΡΙΚΟΥ ΠΕΔΙΟΥ, ΣΕ CU/CUTCNQ ΦΙΛΜΣ ΜΕΛΕΤΗΘΗΚΕ ΑΠ'ΕΥΘΕΙΑΣ ΜΕ ΦΑΣΜΑΤΟΣΚΟΠΙΑ RAMAN.ΤΟ ΑΡΧΙΚΟ ΦΙΛΜ ΕΙΝΑΙ CU+TCNQ-, ΕΝΩ TCNQ ΒΡΕΘΗΚΕ ΜΕΤΑ ΤΗΝ ΑΥΞΗΣΗ ΤΗΣ ΑΓΩΓΙΜΟΤΗΤΑΣ ΣΕ ΠΟΣΑ ΑΥΞΑΝΟΜΕΝΑ ΜΕ ΤΟΝ ΧΡΟΝΟ ΕΠΙΔΡΑΣΗΣ ΤΟΥ ΗΛΕΚΤΡΙΚΟΥ ΠΕΔΙΟΥ. ΜΕΤΑΒΟΛΕΣ (ΜΕΡΙΚΕΣ ΚΑΙ ΟΛΙΚΕΣ) ΠΡΟΚΑΛΟΥΜΕΝΕΣ ΑΠΟ ΑΚΤΙΝΟΒΟΛΙΕΣ ΣΤΟ ΟΡΑΤΟ ΦΑΣΜΑ ΠΑΡΑΤΗΡΗΘΗΚΑΝ ΚΑΙ ΜΕΛΕΤΗΘΗΚΑΝ ΜΕ ΦΑΣΜΑΤΟΣΚΟΠΙΑ RAMAN ΣΕ ΑΡΚΕΤΑ MTCNQ ΥΛΙΚΑ. ΣΥΜΠΕΡΑΣΜΑΤΑ ΓΙΑ ΑΛΛΑΓΗ ΗΛΕΚΤΡΙΚΗΣ ΑΓΩΓΙΜΟΤΗΤΑΣ ΜΕ ΧΡΗΣΗ ΦΩΤΟΣ, ΚΑΘΩΣ ΚΑΙ ΜΕΛΛΟΝΤΙΚΕΣ ΕΦΑΡΜΟΓΕΣ ΓΙΑ ΦΩΤΟ-ΓΡΑΨΙΜΟ ΚΑΙ ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΦΩΤΟΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΩΝ ΔΙΑΤΑΞΕΩΝ ΕΧΟΥΝ ΣΥΖΗΤΗΘΕΙ ΦΙΛΜΣ ΤΩΝ CUTCNQ ΚΑΙ AGTCNQ ΠΑΡΑΣΚΕΥΑΣΤΗΚΑΝ, ΜΕ ΜΙΑ ΜΕΘΟΔΟ ΕΞΑΧΝΩΣΗΣ ΚΑΙ ΘΕΡΜΙΚΗΣ ΕΠΕΞΕΡΓΑΣΙΑΣ, ΠΑΝΩ ΣΕ ΔΙΑΦΟΡΑ ΥΠΟΣΤΡΩΜΑΤΑ. ΡΥΘΜΙΖΟΜΕΝΗ ΕΠΙΔΡΑΣΗ ΔΕΣΜΗΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΩΝ ΣΕ ΤΕΤΟΙΑ ΦΙΛΜΣ ΒΡΕΘΗΚΕ ΝΑ ΠΡΟΚΑΛΕΙ ΤΗΝ ΔΗΜΙΟΥΡΓΙΑ ΜΕΤΑΛΛΙΚΩΝ ΣΩΜΑΤΙΔΙΩΝ ΚΑΙ ΟΥΔΕΤΕΡΟΥ TCNQ. (ΠΕΡΙΚΟΠΗ)